Samsung възнамерява значително да увеличи обема на пусканата NAND памет в Китай
Samsung Electronics разгласи проектите си да удвои размера на пусканата флаш-памет вид NAND от индустриалните мощности в Китай. Това изказване бе направено по време на церемонията по полагане на фундамента на втората индустриална линия в полупроводниковата фабрика в град Сиан (Xi’an), който е ситуиран в северозападната част на Китай.
Новата индустриална линия ще разреши стартирането на към 220 хиляди полупроводникови пластини с диаметър от 300 мм до 2020 година. Общата сума на вложенията ще надвиши 7 милиарда $ в границите на идващите две години.
Анализаторите считат, че главният претекст за увеличение на вложенията от страна на Samsung в континенталната част на Китай е желанието за определяне на връзки с тази страна, като най-големият вносител на флаш-памет в света. Подобни вложения би трябвало да омекотят протекционистската политика на китайското държавно управление, което ще получи спомагателни работни места и налози дружно с готовия артикул. Освен това, благодарение на тази стъпка, Samsung диверсифицира индустриалните си мощности, които сега са съсредоточени най-вече в Южна Корея.
Новата индустриална линия ще разреши стартирането на към 220 хиляди полупроводникови пластини с диаметър от 300 мм до 2020 година. Общата сума на вложенията ще надвиши 7 милиарда $ в границите на идващите две години.
Анализаторите считат, че главният претекст за увеличение на вложенията от страна на Samsung в континенталната част на Китай е желанието за определяне на връзки с тази страна, като най-големият вносител на флаш-памет в света. Подобни вложения би трябвало да омекотят протекционистската политика на китайското държавно управление, което ще получи спомагателни работни места и налози дружно с готовия артикул. Освен това, благодарение на тази стъпка, Samsung диверсифицира индустриалните си мощности, които сега са съсредоточени най-вече в Южна Корея.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ