Нова технология за използване на протони в създаването на свръхефективна компютърна памет
Международен екип от научни служащи, управителен от Корейския институт за напреднали технологии (KAIST) откри, че протоните, които провокират голям брой фазови преходи във фероелектричните (сегнетоелектричните) материали, могат да се употребяват за създаване на високопроизводителна и енергийно ефикасна памет – по този начин наречените невроморфни чипове.
Устройството съставлява многослоен филм от индиев селенид, нанесен върху хетероструктура, състояща се от изолационен лист от алуминиев оксид, подложен сред платинен пласт изпод и шуплест силициев диоксид от горната страна. Платиненият пласт служи като електрод за приложеното напрежение, до момента в който порестият силициев диоксид работи като електролит и доставя протони на сегнетоелектричния филм.
Чрез смяна на подаваното напрежение откривателите последователно прибавят или отстраняват протони от сегнетоелектричния филм. В резултат на това се образуват няколко сегнетоелектрични етапи с друга степен на протониране. Този резултат може да се употребява за осъществяване на компютърни памети с няколко равнища и доста огромен потенциал.
Чрез изработването на гладка и непрекъсната граница сред силициевия диоксид инженерите са получили устройство с висока успеваемост на инжектиране на протоните, което работи при напрежения под 0,4 V – основен фактор за създаването на устройства с памет с ниска консумация на сила.
„ Сегнетоелектриците, като индиевия селенид, са вътрешно поляризирани материали, които трансформират полярността си, когато са сложени в електрическо поле, което ги прави привлекателни за основаване на технологии за памет “, споделя Син Хе, съавтор на проучването.
Тези материали към този момент показват доста висока продуктивност и скорост на четене и запис, само че потенциалът им до момента е бил стеснен единствено до дребен брой сегнетоелектрични етапи.
