Toshiba и Western Digital подготвят 128-слойна 3D NAND памет
.td_uid_42_5c836f01d139b_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_42_5c836f01d139b_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Специалистите на компанията Toshiba и Western Digital взаимно сътвориха 128-слойни 3D NAND TLC флаш памети с потенциал 512 Gb (64 GB) , което е с 33% повече, спрямо предходната 96-слойна памет. В номенклатурата на Toshiba този чип се назовава BiCS-5 (BiCS-4 значи 96-слойна, а BiCS-3 – 64 слойна флаш памет).
BiCS-5 кристалът включва четири обособени секции или плоскости (planes), като към всяка от тях е даден самостоятелен достъп. Да си напомним, че в BiCS-3 и BiCS-4 се употребяват две сходни плоскости. Новата технология удвоява скоростта на запис на един канал над два пъти – от 57 MB/s до 132 MB/s.
.td_uid_41_5c836f01d10af_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_41_5c836f01d10af_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Освен това, в новите чипове се употребява Circuit-under-Array (CuA) дизайна, при който цифровата логичност за ръководството на паметта е ситуирана в най-долния пласт. Благодарение на този метод, размерите на кристала са намалели с 15% спрямо чиповете без CuA.
Специалистите на двете компании са всели решение за достъп до данните да се употребяват страници от по 4 KB, като по този метод е намалена потреблението на електрическа сила. В в този момент съществуващите чипове флаш памет се употребяват 16 KB страници.
Старшият аналитик на Wells Fargo Аарон Райкърс (Aaron Rakers) съобщи, че напълно скоро Toshiba и Western Digital ще предложат най-високата в промишлеността компактност на чипа. Продажбите на 128-слойните 3D NAND чипове са планувани за началото на идната година.
.td_uid_43_5c836f01d15f8_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_43_5c836f01d15f8_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Специалистите на компанията Toshiba и Western Digital взаимно сътвориха 128-слойни 3D NAND TLC флаш памети с потенциал 512 Gb (64 GB) , което е с 33% повече, спрямо предходната 96-слойна памет. В номенклатурата на Toshiba този чип се назовава BiCS-5 (BiCS-4 значи 96-слойна, а BiCS-3 – 64 слойна флаш памет).
BiCS-5 кристалът включва четири обособени секции или плоскости (planes), като към всяка от тях е даден самостоятелен достъп. Да си напомним, че в BiCS-3 и BiCS-4 се употребяват две сходни плоскости. Новата технология удвоява скоростта на запис на един канал над два пъти – от 57 MB/s до 132 MB/s.
.td_uid_41_5c836f01d10af_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_41_5c836f01d10af_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Освен това, в новите чипове се употребява Circuit-under-Array (CuA) дизайна, при който цифровата логичност за ръководството на паметта е ситуирана в най-долния пласт. Благодарение на този метод, размерите на кристала са намалели с 15% спрямо чиповете без CuA.
Специалистите на двете компании са всели решение за достъп до данните да се употребяват страници от по 4 KB, като по този метод е намалена потреблението на електрическа сила. В в този момент съществуващите чипове флаш памет се употребяват 16 KB страници.
Старшият аналитик на Wells Fargo Аарон Райкърс (Aaron Rakers) съобщи, че напълно скоро Toshiba и Western Digital ще предложат най-високата в промишлеността компактност на чипа. Продажбите на 128-слойните 3D NAND чипове са планувани за началото на идната година.
.td_uid_43_5c836f01d15f8_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_43_5c836f01d15f8_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ