Samsung започна производството на ново поколение V-NAND памет: +33% производителност, -10% консумация на енергия
Samsung разгласи началото на всеобщото произвеждане на 9-то потомство V-NAND флаш-памет, което предлага 33% нарастване по отношение на настоящата. Този месец започва производството на TCL V-NAND с потенциал 1Tbit, а QLC ще се доставя през втората половина на 2024 година Преди това началото на производството беше доказано и от неофициални източници, от които също се знае, че паметта има 290+ пласта.
„ Развълнувани сме да представим първото в промишлеността 9-то потомство V-NAND, което ще направи крачка напред за бъдещите приложения. За да отговори на търсенето на решенията за NAND флаш-памет, Samsung разшири границите в клетъчната архитектура и оперативната скица за нашия артикул от последващо потомство. Благодарение на нашия най-нов V-NAND, Samsung ще продължи да дефинира трендовете на пазара на високопроизводителните твърдотелни устройства (SSD) с висока компактност, които дават отговор на потребностите на идващото потомство AI “ — сподели СонгХой Хур, началник на отдела за флаш-продукти и Memory Technologies в Samsung Electronics.
Според компанията, битовата компактност на Gen 9 V-NAND е почти 50% по-висока спрямо Gen 8 V-NAND. Новите технологии за отбягване на разстройства в клетките и удължение на живота им усъвършенстваха качеството и надеждността на паметта, а елиминирането на фиктивните отвори в каналите доста понижи площта на клетката.
Технологията за ецване на отворите в каналите на Samsung основава електронни пътеки посредством нареждане на матрици и увеличение на оптималната продуктивност посредством по едно и също време култивиране на най-голямото в бранша количество пластове кафези в двойна конструкция.
V-NAND 9-то потомство е оборудвано с флаш-интерфейса от ново потомство NAND Toggle 5.1, който поддържа нараснала скорост на входно/изходните данни с 33% до 3,2 Gbps. Консумацията на сила е усъвършенствана с 10%.
