TSMC започва тестово производството на 3-нм чипове
Първата поръчка по новата технология ще бъде за Apple A16
TSMC ще направи действителност 3-нанометровите чипове още тази година
(снимка: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited)
Тайванският чипмейкър TSMC е подготвен да стартира пробно произвеждане по 3-нанометрова технология. Процесът ще започва до края на годината, а всеобщото произвеждане е планувано за втората половина на 2021 година, съгласно изявления в профилирани издания .
Предимството на 3-нм технология пред 5-нм развой е увеличената компактност на транзисторите с 15% и на продуктивността с 10-15%, като в същото време се понижава потреблението на сила с 20-25%.
още по тематиката
Първата едночипова система (SoC), създадена по новата технология в заводите на TSMC, се чака да бъде Apple A16, заяви азиатският източник My Drives.
При прекосяване към 3-нм индустриален развой TSMC ще продължи да употребява технология FinFET вместо да премине към GAA. Това ще му разреши да се придържа към същите дизайни на кристала, които се употребяват за 5-нм процесори и платформи.
Според специалистите, по този начин TSMC ще получи конкурентно преимущество в битката против Samsung – корейската компания е на път да премине към GAA технологията дружно с 3-нанометров софтуерен развой. Предварителните прогнози сочат, че TSMC ще стартира пилотно произвеждане по 2-нанометрова GAAFET сред 2023 и 2024 година
По-рано тази година TSMC започва всеобщо произвеждане на 5-нм SoC A14 и Kirin 1020 надлежно за смарт телефоните на Apple и Huawei. Същевременно, производството на SoC Qualcomm Snapdragon 875 от висок клас и Snapdragon 735G от междинен клас на база 5-нм технология се приписва на Samsung.
TSMC ще направи действителност 3-нанометровите чипове още тази година
(снимка: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited)
Тайванският чипмейкър TSMC е подготвен да стартира пробно произвеждане по 3-нанометрова технология. Процесът ще започва до края на годината, а всеобщото произвеждане е планувано за втората половина на 2021 година, съгласно изявления в профилирани издания .
Предимството на 3-нм технология пред 5-нм развой е увеличената компактност на транзисторите с 15% и на продуктивността с 10-15%, като в същото време се понижава потреблението на сила с 20-25%.
още по тематиката
Първата едночипова система (SoC), създадена по новата технология в заводите на TSMC, се чака да бъде Apple A16, заяви азиатският източник My Drives.
При прекосяване към 3-нм индустриален развой TSMC ще продължи да употребява технология FinFET вместо да премине към GAA. Това ще му разреши да се придържа към същите дизайни на кристала, които се употребяват за 5-нм процесори и платформи.
Според специалистите, по този начин TSMC ще получи конкурентно преимущество в битката против Samsung – корейската компания е на път да премине към GAA технологията дружно с 3-нанометров софтуерен развой. Предварителните прогнози сочат, че TSMC ще стартира пилотно произвеждане по 2-нанометрова GAAFET сред 2023 и 2024 година
По-рано тази година TSMC започва всеобщо произвеждане на 5-нм SoC A14 и Kirin 1020 надлежно за смарт телефоните на Apple и Huawei. Същевременно, производството на SoC Qualcomm Snapdragon 875 от висок клас и Snapdragon 735G от междинен клас на база 5-нм технология се приписва на Samsung.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ