Samsung е осъдена на $400 милиона за умишленото и незаконно използване на FinFET патенти
Bloomberg заяви, че предишния петък Федералният съд на Тексас е признал компанията Samsung за отговорна в нарушаване на патенти, свързани с FinFET технологията. Южнокорейската компания е санкционирана с $400 милиона.
Южнокорейският институт Korea Advanced Institute of Science and Technology ( KAIST ) упрекна компанията Samsung в „умишлено и незаконно“ потребление на профилирани решения от FinFET технологията. Изслушването става в американски съд, тъй като с въпросите за отбрана на интелектуалната благосъстоятелност на KAIST се занимава записаният в Съединени американски щати отдел KAIST IP US. Централният офис се намира в Далас, а този щат се счита за изключително благоразположен за притежателите на разнообразни патентни права.
Глобата от $400 милиона е едвам началната сума . Ако съдът сметне, че Samsung преднамерено е употребявал интелектуалната благосъстоятелност без да заплаща, санкцията може да бъде утроена.
KAIST съобщи, че в началото Samsung се е отказал от осъществяване на проучвания в областта на FinFET, считайки тази технология за безперспективна. Но откакто Intel е почнал да лицензира свои изобретения в тази област, обстановката се е трансформирала.
Samsung изобщо не се съгласи с тези доводи. Компанията сподели, че непрестанно е пособия на института да развива тази технология и че има намерение да апелира.
Южнокорейският институт Korea Advanced Institute of Science and Technology ( KAIST ) упрекна компанията Samsung в „умишлено и незаконно“ потребление на профилирани решения от FinFET технологията. Изслушването става в американски съд, тъй като с въпросите за отбрана на интелектуалната благосъстоятелност на KAIST се занимава записаният в Съединени американски щати отдел KAIST IP US. Централният офис се намира в Далас, а този щат се счита за изключително благоразположен за притежателите на разнообразни патентни права.
Глобата от $400 милиона е едвам началната сума . Ако съдът сметне, че Samsung преднамерено е употребявал интелектуалната благосъстоятелност без да заплаща, санкцията може да бъде утроена.
KAIST съобщи, че в началото Samsung се е отказал от осъществяване на проучвания в областта на FinFET, считайки тази технология за безперспективна. Но откакто Intel е почнал да лицензира свои изобретения в тази област, обстановката се е трансформирала.
Samsung изобщо не се съгласи с тези доводи. Компанията сподели, че непрестанно е пособия на института да развива тази технология и че има намерение да апелира.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ