Samsung представи новата памет HBM3E 12H за ИИ с огромен капацитет
Сегментът на HBM паметта сега се развива доста динамично, защото това е паметта, употребена в търсените на пазара изчислителни ускорители за системи с изкуствен интелект. Samsung Electronics заяви за създаването на първия в света 12-степенен стек HBM3E с общ потенциал 36 гигабайта. Той обезпечава транспорт на информацията със скорост 1280 гигабайта/сек.
Както е обяснено в късото прессъобщение на производителя, 12-слойният стек HBM3E превъзхожда с над 50% наличните на пазара 8-слойни HBM3 стекове във връзка с потенциала и скоростта на трансфер на данните. Характерна специфичност на новата технология за памет е потреблението на термично компресиране в композиция с диелектричен филм за образуване на 12-слойните стекове и връзките сред пластовете. Полученият 12-слоен стек HBM3E има същата монтажна височина като 8-слойния стек. Разстоянието сред кристалите на паметта в стека е по-малко от 7 µm, което е връх в промишлеността. Гъстотата на разположението на подредените кристали е увеличена с над 20 %.
Технологията на Samsung включва и потреблението на контактни топчета с разнообразни размери сред пластовете памет. По-малките топчета се употребяват за преместване на сигнала, до момента в който по-големите оказват помощ за възстановяване на разсейването на топлината. Според Samsung тази индустриална методология покачва равнището на произвеждане на годна продукция. Компанията пресметна, че 12-слойната HBM3E памет може да усили скоростта на образование на системите за изкуствен интелект с 34%. А броят на потребителите, които по едно и също време имат достъп до тях, може да се усили с над 11,5 пъти спрямо 8-слойния HBM3 стек. Доставките на първите инженерни мостри на 12-слойната памет от вида HBM3E за клиентите на Samsung към този момент са почнали. Масовото произвеждане ще стартира още през първата половина на тази година.
