HBM3E паметта ще стимулира иновациите в областта на технологиите с

HBM3E паметта ще подтиква нововъведенията в региона на технологиите с изкуствен интелект, всеобщото й произвеждане ще стартира през идната година

Емил Василев преди 1 минута 1 Сподели

Най-четени

IT НовиниДаниел Десподов - 16:41 | 18.08.2023

Топлинният показател в Иран доближи 80°C, районът може да стане неприспособим за живеене

АвтомобилиИван Давидов - 0:45 | 18.08.2023

Тойота е в дълбока илюзия във връзка с ръчната скоростна кутия

ТелефониТеодора Александрова - 13:34 | 20.08.2023

Xiaomi 14 може да бъде първият смарт телефон с Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3

Емил Василевhttps://www.kaldata.com/

SK hynix разгласи, че е създала памет HBM3E – високоскоростна оперативна памет (DRAM) от последващо потомство за високопроизводителни калкулации и по-специално за приложения, свързани с изкуствен интелект. Твърди се, че паметта е най-високопроизводителната памет в света и сега се валидира и тества от клиенти на SK hynix.

HBM (High Bandwidth Memory – високоскоростна памет) е високоскоростна памет, която съставлява комплект от отвесно свързани DRAM чипове, които обезпечават доста нарастване на скоростта на обработка спрямо стандартните DRAM чипове. HBM3E е усъвършенствана версия на HBM3 паметта от 5-то потомство, която размени предходните генерации: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix акцентира, че сполучливото създаване на HBM3E е станало допустимо с помощта на опита на компанията като единствен всеобщ производител на HBM3 памет. Планира се всеобщото произвеждане на HBM3E да стартира през първата половина на идната година, което ще ускори водещата позиция на компанията на пазара наизуст за изкуствен интелект.

Според SK hynix новият артикул освен дава отговор на най-високите индустриални стандарти за скорост – основен параметър на паметта за приложения с изкуствен интелект, само че и на други като потенциал, разпръскване на топлината и приложимост. HBM3E е способна да обработва данни със скорост до 1,15 TB/s, което е еквивалентно на прехвърлянето на повече от 230 пълнометражни Full HD кино лентата от по 5 GB за 1 секунда.

Освен това HBM3E се отличава с 10 % усъвършенствано разпръскване на топлината с технологията Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новата памет предлага и противоположна съгласуемост, което ще разреши тя да бъде употребена в съществуващи ИИ ускорители, които са били основани за HBM3.

„ Имаме дългогодишно партньорство с SK hynix във връзка с паметта с висока пропускателна дарба за усъвършенствани решения за ускорени калкулации. Очакваме с неспокойствие да продължим съдействието си с HBM3E, с цел да дадем опция на идващото потомство калкулации с изкуствен интелект. “

каза Иън Бък, вицепрезидент на отдела за хипермащабни и високопроизводителни калкулации в NVIDIA

Сунгсу Рю, началник на продуктовото обмисляне на DRAM в SK hynix акцентира, че компанията е засилила пазарните си позиции, като е добавила HBM към продуктовата си гама, която е в центъра на вниманието в светлината на развиването на технологиите с изкуствен интелект.