Двуизмерният материал с превключване между две състояния на кристална структура(илюстрация:

Двуизмерният материал с превключване сред две положения на кристална конструкция
(илюстрация: University of Rochester illustration / Michael Osadciw)

В забавна разработка учени съчетаха два вида типа памети – мемристор и памет с смяна на етапа, с цел да получат хибрид, който е по-бърз и по-ефективен от всеобщо употребяваната през днешния ден флаш памет.

Новата енергонезависима памет е дело на откриватели от университета в Рочестър. Тя се базира на добре познатата ReRAM (резистивна памет) и PRAM (памет с смяна на фазата). Хибридът се оказа толкоз добър, че след време може да стане правоприемник на известната флаш памет, отбелязва TechXplore.

Всяка памет поотделно – резистивна (понякога наричана мемристорна) и памет с смяна на етапа – има както своите преимущества, по този начин и дефекти. Резистивната памет употребява малко, само че записването на данни под формата на нишковидна обратима йонна проводимост може да бъде доста ненадеждно. Паметта с смяна на етапа съхранява информацията безупречно, само че интервенциите за запис и заличаване, които трансформират клетката в кристално положение от аморфно и назад, са доста енергоемки.
още по темата
Предложеният от откривателите на Рочестър хибрид основава положение на материята, в което тя е на ръба на непоклатимост във връзка с кристалната конструкция. Най-малкото изместване на една страна трансформира клетката с памет в кристално положение с ниско или високо противодействие. Това изместване се инициира от електромагнитно поле, също както при превключване на транзистор.

„ Създадохме я, като всъщност просто разтегнахме материала в една посока и го компресирахме в другата ”, споделят създателите на създаването. „ Това разрешава да увеличим продуктивността с порядъци. Виждаме път, по който създаването може да се окаже в домашните компютри като супер-бърза, супер-ефективна форма наизуст. Това може да има огромни последствия за компютрите като цяло ”.

Всъщност новата памет е деформиран двуизмерен материал – молибденов дителурид (MoTe2). Тънки железни филми от MoTe2 се образуват напрегнат в контакти, които индуцират следен от дисторция фазов преход от полуметал към полупроводник. Фазовият преход, от своя страна, образува отвесен транспортен канал (мемристор) с полупроводников MoTe2 като дейна област.

Благодарение на напрежението, каналът превключва при напрежение от единствено 90 mV. Времето на превключване е 5 ns, времето на задържане е над 105 s, а предстоящият брой цикли на превключване е над 108.

Напрежението на превключване и броят на циклите се контролират както механично (по време на производството), по този начин и електрически по време на настройката на устройството. Експериментите с прототипи са обещаващи, което ще подтиква учените да надграждат своя триумф с течение на времето.