Чипмейкърът SK Hynix предизвиква Samsung с най-бързата памет за мобилни

Чипмейкърът SK Hynix провокира Samsung с най-бързата памет за мобилни устройства
(снимка: SK Hynix)

Южнокорейският производител SK Hynix разгласи най-бързата памет за смарт телефони. Това е памет от вида LPDDR5T, където T значи „ турбо ”. Обещаната скорост за предаване на данните е 9,6 Gb/s

Новият артикул идва единствено два месеца откакто Samsung разгласи най-бързата LPDDR5X памет за мобилни устройства. LPDDR5T се явява последният стадий от подготовката за преход към чипове LPDDR6. Прфиксът „ T ” (Turbo) в наименованието на новата памет наблягане извънредно високата ѝ скорост.
още по темата
LPDDR5T е с 13% по-бърза от паметите LPDDR5X и ще отговори на потребностите на новите мобилни устройства – от смарт телефони до AR/VR хедсети, на приложенията с изкуствен интелект и на крайните AI решения под формата на роботи.

Скоростта на предаване на чиповете LPDDR5X, показани през октомври предходната година, доближава 8,5 Gb/s на контакт. Декларираната скорост на LPDDR5T е 9,6 Gb/s на контакт. В същото време потреблението на чипа е увеличено нищожно, което значи нараснала енергийната успеваемост, поради по-високите скорости.

SK Hynix възнамерява да стартира всеобщо произвеждане на чипове LPDDR5T през втората половина на годината. Образци от чиповете към този момент са изпратени за тестване на доста клиенти на компанията. Вероятно паметта LPDDR5T ще дебютира в подготвени артикули на CES 2024 и ще излезе на пазара през зимата и пролетта на идната година.

Паметта LPDDR5T на SK Hynix е с 13% по-бърза от паметите LPDDR5X
(снимка: SK Hynix)

Паметите LPDDR5T се създават по четвърто потомство на технология от клас 10 нанометра. За основните транзистори на клетките с памет се употребява софтуерен процеса HKGM (High-K Metal Gate), добре прочут от производството на процесори. Металните гейтове на транзисторите са изолирани с високо-диелектричен филм, който понижава утечката на ток, а това усилва продуктивността на транзисторите и понижава тяхната консумация.

LPDDR5T чиповете се зареждат от ултра-ниско напрежение, заложено от комисията на JEDEC за сходни памети: от 1,01 до 1,12 V. Преди появяването на памети LPDDR6 евентуално няма да забележим по-бърз артикул от LPDDR5T. Ще бъде забавно обаче по какъв начин Samsung ще отговори на Turbo предизвикването на SK Hynix.