Samsung ще започне производството на 286-слойна NAND в Китай, за да не изостане от местната YMTC
Цялата активност през предходните три години, ориентирана към ограничение на достъпа на китайските производители на памети до актуалните технологии за тяхното произвеждане от страна на американските управляващи, в последна сметка докара до опазване на конкуренцията от страна на китайските компании. Така или другояче, по неофициални данни южнокорейската компания Samsung е била принудена да усили броя на пластовете 3D NAND памет, създавани в Китай, до 286 броя, с цел да не изостане от китайската компания YMTC.
Известнпо е, че китайската компания YMTC неотдавна овладя всеобщото произвеждане наизуст от вида 3D NAND, което е еквивалентно на 294-слойната конструкция. Южнокорейската компания Samsung Electronics в Сиан, Китай, разполага с най-голямото дружество за произвеждане на полупроводникова памет. То обезпечава до към 40% от продукцията на марката. Първоначално Samsung възнамеряваше да модернизира индустриалните мощности на това дружество в Китай, с цел да премине от производството на 128-слойна памет към 236-слойна памет, само че в този момент очевидно ще направи още една крачка напред и ще стартира производството на 286-слойна памет. По този метод компанията условно ще реализира научен паритет с китайската YMTC.
По принцип отвън Китай Samsung е подготвена да създава и по-модерна памет. В най-съвременното южнокорейско дружество в Пьонгтаек тя има намерение да стартира всеобщото произвеждане на 400-слойна 3D NAND памет още през идващите шест месеца. Дотогава в Сиан възнамерява да създава от 2 000 до 5 000 силициеви пластини с 286-слойна 3D NAND памет на месец. Споразуменията с американските управляващи разрешават на Samsung да създава чипове памет с повече от 200 пласта в Китай, само че същата YMTC в този случай попада под рестриктивните мерки за експорт, без достъп до съответните технологии и съоръжение.
