SK hynix представи UFS 4.1 памет за смартфони, базирана на 321-слойна 4D NAND
SK hynix разгласи създаването на UFS 4.1 модули памет, основани на най-модерните в света 321-слойни 3D NAND кафези (или 4D NAND съгласно терминологията на компанията). Тези модули са предопределени за потребление във вградена памет в мобилни устройства.
За да се обезпечи постоянна работа на системите с изкуствен интелект в мобилните устройства, условията за висока продуктивност и ниска консумация на сила на NAND паметта непрестанно се усилват, споделят от компанията. Оптимизираните за изкуствен интелект съставни елементи на UFS 4.1 би трябвало да оказват помощ на SK hynix да ускори позициите си на пазара наизуст за флагмански смарт телефони.
Модулите от ново потомство оферират 7% нарастване на енергийната успеваемост спрямо предходната версия, основана на 238-слойни NAND чипове. Освен това дебелината им е понижена от 1 мм на 0,85 мм, в сходство с актуалната наклонност за ултратънки смарт телефони. Скоростта на транспорт на данни за новите UFS 4.1 модули на SK hynix доближава 4300 MB/s, което е най-високата скорост на поредно четене измежду UFS съставените елементи от четвърто потомство. Производителността при случайно четене и запис, която е от решаващо значение за мултитаскинг се е нараснала надлежно с 15% и 40%.
SK hynix възнамерява да стартира всеобщи доставки на новите UFS 4.1 модули през първото тримесечие на идната година. Те ще се оферират в 512GB и 1TB разновидности.
