SK hynix пуска масово производство на 238-слойни NAND чипове – подходящи за PCIe 5.0 SSD
SK hynix разгласи стартирането на всеобщото произвеждане на 238-слойна 4D NAND памет през май, която ще се трансформира в основата за SSD от последващо потомство с по-висока скорост и потенциал. Новите чипове обезпечават скорост за трансфер на данните от 2400 MT/s, поставяйки основата за основаването на високопроизводителни PCIe 5.0 x4 SSD дискове с поредни скорости на четене/запис от 12 GB/s или повече.
Скоростта на интерфейса от 2400 MT/s може би е основният индикатор за 238-слойните TLC NAND чипове от SK hynix — той е с 50% по-бърз от интерфейса на чиповете от предходно потомство, който при 1600 MT/s мъчно може да доближи капацитета на PCIe 5.0 x4. Икономическата успеваемост на съставените елементи също е усъвършенствана и е увеличена с 34%, в съпоставяне със 176-слойните аналози: в случай че приемем, че производителят е съумял да обезпечи сравними по индикатори на изхода годни артикули, то с 238-слойните TLC NAND чипове цената на гигабайт ще намалее със същите 34%. Към намаляването на физическия размер на готовите устройства, потреблението на сила от новото потомство памет при четене е намалена с 21%.
Предложеното от производителя маркетингово означение на новите 4D NAND чипове в действителност значи, че в тях се употребява клетъчна технология на заряд (Charge Trap Flash – CTF) и патентованото от производителя оформление с транспорт на логичност под масив от кафези (Peripheral Under Cells – PUC). Готовите артикули, основани на 238-слойни NAND-чипове, ще дебютират на пазара като дискове за смарт телефони, след което ще бъдат употребявани и в други устройства. SK hynix добави, че продуктите от последващо потомство ще стартират да оказват въздействие върху приходите на компанията през втората половина на годината.
