Учените от Националния изследователски ядрен университет "Московски инженерно-физически институт в

Учените от Националния проучвателен нуклеарен университет "Московски инженерно-физически институт ” в съдействие със експертите от Института по физика на металите при Сибирския отдел на Руската академия на науките създадоха и изучиха нанохетероструктури на основата на галиев арсенид, способни да покачат бързината на действието на високочестотните микросхеми.

Хетероструктурата съставлява отгледан на поставка слоест материал от разнообразни полупроводници, нормално употребявани в електрониката. Съвременният “квантов материал ” разрешава те да се основават с тези свойства, които изисква производството на най-новите електронни принадлежности.

Бързината на действието на приборите може да се усъвършенства, повишавайки наличието на индий в “активния ” тоководещ пласт на материала. Повишаването на наличието на индий разрешава да се понижи тежестта на електроните в структурата, също да се увеличи тяхната скорост, по тази причина пораства и бързината на действието на електронните принадлежности. Това обаче се усложнява от механичното напрежение на кристалната решетка в прилежащите пластове.

Учените от Националния проучвателен нуклеарен университет "Московски инженерно-физически институт ” взеха решение казуса, увеличавайки дебелия “преходен ” пласт и последователно увеличавайки наличието на индий в състава на дейния пласт. В резултат на това учените го доведоха до съвсем 100 % при минимално механическо напрежение.

Растежът на пробите се осъществяваше посредством метода на епитаксията - послойно развъждане на кристални съвършени полупроводници на “виртуална поставка ”, която при растежа на преходния пласт последователно трансформира параметъра на кристалната решетка.

Учените избраха оптималните условия за развъждане: температурата на подложката, структурата на преходния пласт, дебелината и състава на дейния пласт. Затова структурите се получиха с високо качество, с малко разпръскване на електрони и дребна (само 2 нанометра) неравност на повърхността.

Електронните свойства на основаните в Националния проучвателен нуклеарен университет "Московски инженерно-физически институт"образци бяха измерени от експертите от Института на физиката на материалите при Сибирския отдел на Руската академия на науките За това те организираха проучвания при ниски температури (от 1,8 Келвина или —271,35 °С) в мощно магнитно поле. Това разреши да се следят в дейния пласт квантови резултати, свързани с високо наличие на индий, по-специално, съмненията на магнитосъпротивлението и квантовия резултат на Хол (КЕХ), за откриването на който през 1985 година е била връчена Нобелова награда по физика.

Според мнението на експертите, данните на съветските учени, оповестени в научното списание "Journal of Magnetism and Magnetic Materials", разрешават да изясним особеностите на проявлението на КЕХ в актуалните наноструктури.

“Това, преди всичко, е фундаментално проучване ”, разяснява един от създателите на публикацията, доцент на катедрата по физика на кондензирани среди на Националния проучвателен нуклеарен университет "Московски инженерно-физически институт ” Иван Василевски. “Но ние виждаме и капацитета на неговото приложение. Това се дължи, най-много, на обстоятелството, че сходни структури имат висока пъргавина на електроните и обезпечават високи (до 220 GHz) честоти на работа на транзистори и микросхеми ”, добави той. /РИА "Новости"