Корейци показаха за първи път 321-слойна 3D NAND памет
Чипът на SK Hynix се чака на пазара през 2025 година
Първият чип 3D NAND памет с повече от 300 пласта е разработка на SK Hynix
(снимка: SK Hynix)
Корейският производител на памети SK Hynix първи в промишлеността показва 3D NAND чип с повече от 300 пласта. Новата памет обрисува бъдеще с навсякъде потребление на умни асистенти.
SK Hynix към момента не е приключила изцяло създаването на флаш-чипа с 321 пласта, само че дава обещание да направи това през идната година и да пусне паметта с рекордно огромна компактност на пазара през първата половина на 2025 година
321-слойните чипове с флаш памет са основани на кафези с памет на три равнища (TLC). Капацитетът на един чип ще бъде 1 терабит (Tbit). Сегашният 238-слоен 3D NAND на компанията е с на половина по-малък потенциал – 512 гигабита (Gbit). Преминаването от 238-слойна памет към 321-слойна ще усили добива на потенциал от силициевите пластини с 59%.
Инженерите на SK Hynix осветлиха за първи път създаването на 300-слойна памет през март тази година на конференцията ISSCC 2023. От показаните тогава документи стана ясно, че 300-слойните чипове ще имат усъвършенствана архитектура, с повече пластове и връзки, както и с леко модифицирани сигнали за ръководство и програмиране.
още по темата
Взети дружно, всички тези усъвършенствания ще усилят пропускателната дарба на 3D NAND паметта от 164 MB/s на 194 MB/s. Енергийната успеваемост също ще се усили, заради по-високата компактност на запис.
Междувременно SK Hynix разгласи, че паралелно с 300-слойната памет е почнала работа и върху интерфейси от последващо потомство като PCIe 6.0 и UFS 5.0. Последният ще се употребява и в дискове, основани на 300-слойни чипове.
Първият чип 3D NAND памет с повече от 300 пласта е разработка на SK Hynix
(снимка: SK Hynix)
Корейският производител на памети SK Hynix първи в промишлеността показва 3D NAND чип с повече от 300 пласта. Новата памет обрисува бъдеще с навсякъде потребление на умни асистенти.
SK Hynix към момента не е приключила изцяло създаването на флаш-чипа с 321 пласта, само че дава обещание да направи това през идната година и да пусне паметта с рекордно огромна компактност на пазара през първата половина на 2025 година
321-слойните чипове с флаш памет са основани на кафези с памет на три равнища (TLC). Капацитетът на един чип ще бъде 1 терабит (Tbit). Сегашният 238-слоен 3D NAND на компанията е с на половина по-малък потенциал – 512 гигабита (Gbit). Преминаването от 238-слойна памет към 321-слойна ще усили добива на потенциал от силициевите пластини с 59%.
Инженерите на SK Hynix осветлиха за първи път създаването на 300-слойна памет през март тази година на конференцията ISSCC 2023. От показаните тогава документи стана ясно, че 300-слойните чипове ще имат усъвършенствана архитектура, с повече пластове и връзки, както и с леко модифицирани сигнали за ръководство и програмиране.
още по темата
Взети дружно, всички тези усъвършенствания ще усилят пропускателната дарба на 3D NAND паметта от 164 MB/s на 194 MB/s. Енергийната успеваемост също ще се усили, заради по-високата компактност на запис.
Междувременно SK Hynix разгласи, че паралелно с 300-слойната памет е почнала работа и върху интерфейси от последващо потомство като PCIe 6.0 и UFS 5.0. Последният ще се употребява и в дискове, основани на 300-слойни чипове.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ