ASML създаде първия образец на полупроводник с помощта на High-NA EUV литография
Базираната в Нидерландия компания ASML разгласи основаването на първите мостри на полупроводници благодарение на първия си литографски скенер със свръхтвърдо ултравиолетово излъчване и проекционна оптика с висока числова апертура от 0,55 (High-NA EUV).
Събитието е крайъгълен камък освен за ASML, само че и за High-NA EUV технологията като цяло.
„ Нашата High-NA EUV система във Велдховен отпечата първите в света линии с компактност 10 нанометра. Визуализацията беше направена откакто оптиката, датчиците и стъпалата минаха през недодялан развой на калибриране. След това проектът е системата да бъде приведена в положение на цялостна продуктивност и да се получат същите резултати в полеви условия. “
се споделя в изказване на ASML
Понастоящем ASML е основала единствено три системи за High-NA EUV литография. Едната се сглобява в централата на ASML във Велдховен, Нидерландия, а другата се сглобява в американското оборудване D1X на Intel покрай Хилсбъро, Орегон. Третата ще бъде съединена в Imec, водещ проучвателен институт за полупроводници в Белгия.
ASML е първата компания, която афишира сполучливото основаване на пример благодарение на системата за High-NA EUV литография, което е значим стадий за цялата полупроводникова промишленост. ASML има намерение да употребява своя скенер Twinscan EXE:5000 единствено за проучване и рационализиране на технологията.
От своя страна Intel възнамерява да употребява Twinscan EXE:5000, с цел да се научи по какъв начин да ползва EUV литография с висока числена апертура за всеобщо произвеждане на чипове. Скенерът ще се употребява за планове за научноизследователска и развойна активност, употребяващи нейната патентована софтуерна линия Intel 18A (клас 1,8 nm).
Скенерът ASML Twinscan EXE:5200, оборудван с оптика с числова апертура 0,55 е планиран да отсрочва детайли на чипове с разграничителна дарба 8 nm, което е доста усъвършенстване спрямо актуалните EUV системи, които обезпечават разграничителна дарба от 13 nm. Новата технология понижава размера на транзистора 1,7 пъти и обезпечава 2,9 пъти по-голямата му компактност на експозиция спрямо инструментите с ниска числова апертура (Low-NA EUV).
Скенерите с ниска числова апертура също могат да реализират това равнище на разграничителна дарба, само че това изисква потреблението на по-скъпия способ на двойно моделиране. Преминаването към системи за EUV литография с висока апертура е належащо за производството на чипове под 3 nm, чието всеобщо произвеждане се чака да стартира през 2025-2026 година. Използването на High-NA EUV литография отстранява нуждата от две прекосявания с два шаблона. По този метод се усъвършенстват индустриалните процеси, евентуално се усилва продуктивността и се понижават индустриалните разноски. От друга страна, High-NA инструментите костват до 400 млн. $ всеки и имат присъщи дефекти. Те затрудняват прехода към по-усъвършенствани индустриални процеси.
