TSMC създаде нова SOT-MRAM памет с много ниска латентност и консумация на енергия
TSMC, взаимно с учени от Тайванския институт за проучване на индустриалните технологии (ITRI) показаха нов тип SOT-MRAM памет. Новата памет е предопределена за калкулации в паметта и кеш приложения от най-високо равнище. Тя се отличава с непроменливост, ниска инертност и консумация на сила, която е 1% от тази на STT-MRAM паметта.
Новата памет е по-бърза от DRAM и резервира данните даже след спиране на електрозахранването и е проектирана да размени STT-MRAM паметта
На доктрина SOT-MRAM има голям брой преимущества, които я вършат използваема за кешове и приложения в паметта. SOT-MRAM може евентуално да предложи по-висока компактност от SRAM, която едвам се мащабира с най-новите индустриални технологии. Тъй като е енергонезависима, тя също по този начин не употребява сила, когато не се употребява (за разлика от SRAM).
Това е от изгода както за центрове за данни, по този начин и за приложения, захранвани от акумулатори. Теоретично SOT-MRAM може да има инертност до 10 ns. Това сигурно е по-бавно в съпоставяне със SRAM (латентността на четене и запис на SRAM нормално е в диапазона 1-2ns), само че е малко по-бързо от DRAM (DDR5 има инертност към 14ms) и доста по-бързо от 3D TLC NAND (която има инертност на четене сред 50 и 100 микросекунди).
SOT-MRAM и STT-MRAM са типове технологии за енергонезависима памет
Те употребяват магнитни положения за запазване на данни. Както в SOT, по този начин и в STT-MRAM клетката на паметта разчита на конструкция, наречена магнитно тунелно съединяване (MTJ). То се състои от свободен и закрепен тъничък магнитен пласт (например CoFeB), подредени отвесно, с доста тъничък диелектричен пласт (например MgO), подложен сред тях и спомагателен пласт „ тежък метал “ (например волфрам), съседен към един от магнитните пластове.
Данните се записват в клетката на паметта посредством смяна на намагнитването на свободния пласт (който работи като пласт за предпазване в MRAM битовата клетка), като се прокарва ток през пласта от тежък метал, който генерира спинов ток и го „ инжектира “ в прилежащия магнитен пласт, като трансформира ориентацията му и по този метод трансформира положението му. Четенето на данни включва оценка на магнитосъпротивлението на MTJ посредством ориентиране на ток през прехода.
Основната разлика сред STT и SOT MRAM се състои в геометрията на „ инжектирането “ на ток, употребена за процеса на запис. Очевидно методът SOT обезпечава по-ниска консумация на сила и продължителност на устройството.
Макар, че SOT-MRAM предлага по-ниска мощ в режим на подготвеност от SRAM, тя се нуждае от доста електричество за интервенции по запис, тъй че динамичната ѝ консумация на сила към момента е много висока. Освен това клетките SOT-SRAM към момента са по-големи от клетките SRAM и се създават по-трудно. В резултат на това, макар че технологията SOT-SRAM наподобява обещаваща, малко евентуално е тя да размени SRAM в скоро време.
