Очаква се 3D NAND да бъде заменена от ULTRARAM – памет със живот от 10 млн. цикъла и съхранение на данни до 1000 години
По време на събитието Flash Memory Summit 2023 през този месец награди получи освен усъвършенстваната 321-слойна 3D NAND флаш памет на SK hynix. Експертите отличиха и ULTRARAM – обещаваща разработка, която съчетава скоростта на оперативната памет с енергонезависимия темперамент на флаш паметта. Компанията за комерсиалното ѝ произвеждане беше основана едвам при започване на тази година, а FMS 23 в действителност беше нейният дебют.
ULTRARAM е млада във всяко отношение. Тя е изобретена от учени от английските университети в Ланкастър и Уоруик. Статията, отдадена на новата памет е оповестена в списание Nature през 2019 година. През 2022 година разработчиците сътвориха мостри на паметта, а през януари тази година оповестиха основаването на компанията Quinas Technology, която да я разпространява.
ULTRARAM може да се счита най-високата резистентност на изхабяване и загуба на заряд. Разработчиците дават обещание най-малко 10 милиона цикъла на презапис и опазване на заряда в продължение на 1000 години. Можете да пандизите преносимия компютър, до момента в който играете игра и да я продължите след 1000 години, като го отворите още веднъж. Играта ще продължи от момента, в който е била спряна от датчиците на преносимия компютър при затваряне на капака му.
Висока непоклатимост и свръхдълго задържане на заряда дават обещание дизайнът на ULTRARAM и употребяваните материали, който не е силиций. Клетката за предпазване на данни и богатият на електрони пласт са разграничени от 3 бариери, направени от индиев арсенид и алуминиев антимонид (InAs/AlSb). Изолацията е толкоз добра, че приключването на заряд може да се пренебрегне. Но по какъв начин електроните попадат в клетката?
За тази цел в електрониката съществува едно добре изучено и приложено събитие – тунелирането. Ако на електроните се придаде избрана сила, която изобретателите назовават резонансна сила, те са в положение да преодолеят бариерите и да се окажат в клетката. Извеждането им оттова (изтриване или презаписване на клетката) е допустимо при сходни условия. Сами по себе си те в никакъв случай няма да изоставен клетката. Зарядът ще се съхранява в клетката, без да е належащо да се подава сила към нея, както се случва в тази ситуация с флаш паметта. В същото време скоростните характерности на ULTRARAM се приближават до скоростта на оперативната памет.
Така първите мостри на ULTRARAM демонстрираха скорост на превключване под 10 ms при напрежение на заличаване от 2,5 V, което се показва като най-хубав резултат измежду обещаващите типове енергонезависима памет. На доктрина продуктивността дава обещание да бъде в границите на 10 наносекунди (ns) – една милиардна част от секундата.
Разработчиците правят оценка обективно вероятностите на ULTRARAM и не считат, че той ще „ взриви “ пазара на системите за предпазване на данни, само че за редица области тя може да се окаже доста известна. Например за периферни интернет устройства, чиито ограничавания в мощността постановат да се откри компромис сред размера на паметта, продуктивността и потреблението.
Преговорите с производители към този момент са в ход, настояват разработчиците. Производството на ULTRARAM може да стартира по-скоро, в сравнение с можем да си представим.
