Остава отворен единствено въпросът за дълготрайността на UK III-VБританска разработка

...
Остава отворен единствено въпросът за дълготрайността на UK III-VБританска разработка
Коментари Харесай

Иновативна памет съчетава предимствата на DRAM и NAND

Остава отворен само въпросът за дълготрайността на UK III-V

Британска разработка дава обещание по-добра опция на DRAM
(снимка: CC0 Public Domain)

Изследователи от университета Ланкастър в Обединеното кралство са симулирали нова енергонезависима памет. Твърди се, че тя се нуждае от 100 пъти по-малко сила за запис и заличаване на информация, спрямо NAND или DRAM.

В същото време високата скорост на новата памет я прави подобаваща опция на оперативната DRAM памет в разнообразни устройствата. Британските учени са нарекли своята разработка UK III-V, излиза наяве от обява в Electronics Weekly.

Иновацията се базира на транзистор с нова конструкция, на основата на който е построената клетка памет. За запазване на информация се употребява плаващ гейт, само че той не е изолиран със силициев оксид, както в актуалната памет, а от тунелен преход на границата сред пластовете от разнообразни полупроводникови материали: индиев арсенид и алуминиев антимонид. Структурата включва и пластове от други материали.
още по тематиката
За разлика от DRAM, наличието на UK III-V клетките памет не е належащо да се презаписва от време на време. Единственият въпрос, който към този момент няма отговор, е дълготрайността на новата памет.

Ако UK III-V устоя на огромен брой презаписи, тя може да размени DRAM и NAND в компютрите и мобилните устройства на бъдещето – те ще се включват мигновено и ще употребяват доста по-малко сила от сегашните устройства.
Източник: technews.bg

СПОДЕЛИ СТАТИЯТА



Промоции

КОМЕНТАРИ
НАПИШИ КОМЕНТАР