Intel ще смени транзисторната архитектура в чиповете си за първи път от 13 години насам
На конференцията „ Innovation 2023 “ основният изпълнителен шеф на Intel Патрик Гелсингер сподели силициева пластина с процесори Arrow Lake, работещи по процеса 20A (20 ангстрьома или 2 нанометра – nm). Тези чипове ще се появят през 2024 година и ще бъдат първите от 13 години насам, които ще носят новата транзисторна архитектура. На събитието основният изпълнителен шеф на Intel разкри някои детайлности за бъдещите архитектури, което може да се смята за публично удостоверение на появилите се по-рано клюки.
Важно събитие беше потвърждението на проектите на Intel да стартира да създава 2 nm процесори през 2024 година – по-рано от TSMC и Samsung, които преди този момент демонстрираха доста софтуерно закъснение от микропроцесорния колос. Intel си е сложила за цел да овладее производството на процесори на 5 нови софтуерни възела в границите на 4 години и наподобява прецизно следва този проект. Освен това Intel ще изпревари Samsung и TSMC в редица софтуерни нововъведения.
По-специално, Intel ще бъде първата компания, която ще реалокира захранващите линии за процесорните детайли в задната част на субстрата. Сигналните линии ще останат на същото място, а зареждането ще се подава от задната страна непосредствено към транзисторите. Това ще стане, като се стартира с транзисторите на чиповете Arrow Lake, които компанията към този момент създава под формата на инженерни мостри.
Разделянето на захранващите и сигналните линии ще има доста преимущества, само че ще докара и до софтуерни провокации. Разтоварването на размера на пластината от страната на сигналния интерфейс ще опрости окабеляването и ще усили скоростта на сигналния интерфейс посредством понижаване на дължината на връзките и надлежно понижаване на тяхното противодействие на ток. Същото опростяване на силовото окабеляване (от противоположната страна) и даже увеличение на сечението на силовите проводници ще понижи преходните процеси и даже ще открие пътя към увеличение на плътността на транзисторите. TSMC, да вземем за пример възнамерява да вкара сходна технология не по-рано от 2026 година или 2 години по-късно от Intel.
Това, което сигурно ще докара до гражданска война в процесорите Arrow Lake са новите транзистори RibbonFET Gate-All-Around (GAA) с канали, напълно заобиколени от гейтове. Това ще бъдат първите нови транзистори в процесорите на Intel от 2011 година насам, след въвеждането на FinFET транзистори с отвесни канали (ръбове), заобиколени от гейтове единствено от три страни. Samsung към този момент създава сходни транзистори в лична интерпретация (SF3E), само че не е подготвена да ги вкара всеобщо. Intel наподобява е подготвена да провежда всеобщото произвеждане на GAA транзистори.
GAA транзисторите на Intel са архитектурно сходни на GAA транзисторите на Samsung. Intel употребява 4 канала като част от транзистора. Според Intel този дизайн разрешава по-бързо превключване на транзистора, като в същото време се употребява ръководещ ток сходен по мощ на FinFET. В същото време GAA транзисторът заема доста по-малко място върху подложката, в сравнение с FinFET.
TSMC има намерение да вкара личната си GAA архитектура в произвеждане през 2025 година, или една година по-късно от Intel. В това отношение Samsung официално изпреварва своите съперници, само че във връзка с всеобщото произвеждане на най-съвременните решения към момента не може да се похвали с нищо.
