Създадоха най-бързия в света двуслоен невроморфен транзистор
Екип от японски учени показва нова технология за основаване на тънки керамични филми, способни незабавно да зареждат и разреждат електрически двуслоен транзистор с дебелина няколко нанометра. Това е значима стъпка напред към основаването на ефикасни и бързодействащи ИИ устройства.
Двуслойният транзистор извършва ролята на комутатор в електрическите вериги. Той може да прави тази функционалност посредством зареждане или разреждане на двойния електрически пласт на границата електролит-полупроводник. Тъй като транзисторът е в положение да имитира електрическата реакция на невроните на човешкия мозък, т.е. да работи като невроморфен транзистор, той има огромен капацитет в областта на компютърните науки.
Сега съществуващите двуслойни транзистори са прекомерно мудни в прекосяването от едно положение в друго. Средното време за преход варира от няколкостотин микросекунди до 10 милисекунди. Именно по тази причина учените работят по основаването на по-бързи устройства, написа EurekAlert.
Екип от експерти от Националния институт по материалознание и Токийския теоретичен университет е създал двуслоен транзистор, построен от тъничък филм от шуплест цирконий, нормализиран с итрий, и диамантено фолио. С висока степен на точност при работа с импулсен лазер те са образували двоен пласт с диамантено-керамичен интерфейс. Циркониевият пласт е в положение да всмуква огромни количества вода в наноразмерните си пори, позволявайки на водородните йони да минават през него. По този метод двойният пласт се зарежда и разрежда доста бързо, което доста усъвършенства бързата работа на транзистора.
Измерванията демонстрират, че транзисторът е 8,5 пъти по-бърз от съществуващите аналози и може да претендира за нов международен връх за скорост на двуслойните транзистори.
Учените също по този начин потвърдиха способността на устройството да преобразува входящите форми на вълните в други форми на вълните с доста висока акуратност – това свойство разрешава транзисторът да бъде смесен с невроморфни устройства с изкуствен интелект.
