Разработени авангардни сегнетоелектрически транзистори
През последните години експертите се пробват да разработят различни схемни решения за хардуерните детайли на компютрите, които да им разрешат да правят по едно и също време калкулации и предпазване на данни. Усъвършенстваната електроника от този вид би могла доста да форсира работата на компютрите. За тази цел тя би трябвало да бъде направена от специфични материали от рода на сегнетоелектриците. Китайски учени показаха ефикасен способ за произвеждане на такива транзистори.
Надеждното и ефикасно предпазване на данни с ниска консумация на сила изисква материали, които имат свойството непринудено да се поляризират при липса на външно електрическо поле. Освен това те би трябвало да могат да бъдат сведени до двуизмерно положение. Двуизмерните полупроводници, които имат качеството на сегнетоелектрици, се смятат за най-подходящи за устройства за калкулации непосредствено в оперативната памет.
Сегментоелектричното отместване поражда при изместване на атомните вандерваалсови пластове един по отношение на различен, което генерира транспорт на заряд сред пластовете. По този метод се получава смяна в поляризацията.
Учените към този момент тестват пробни мостри на сегнетоелектриците транзистори в серия от тествания и удостоверяват високия им капацитет за калкулации в паметта. Устройствата показват междинен прозорец на паметта от 7 V при приложено напрежение от 10 V, време за предпазване от над 10 на четвърта степен секунди и продължителност от над 10 на четвърта степен цикли.
„ При дебелина от към два пласта атоми това устройство дава отговор на условията на актуалните CMOS по-малки от 3 nm “, споделя Тило Янг, един от съавторите на взаимния отчет.
Стратегията, препоръчана от него и сътрудниците му, може да залегне в основата на бъдещите високопроизводителни изчислителни устройства.
