Yangtze Memory подготвя иновационна NAND флаш памет
Китайската компания Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) показа при започване на седмицата първата информация за подготвяната от нея многослойна 3D NAND памет с име Xtacking . Технологията включва производството на чипове флаш памет с потреблението на две полупроводникови пластини. Едната пластина съдържа физическите 3D NAND кафези, а втората пластина включва CMOS логиката.
Досега за производството на NAND флаш памети обичайно се използваше масив памет и ръководеща логичност (декодиране на адресите, буфериране на страниците и т.н.) ситуирани на една и съща пластина. Сега YMTC предлага NAND масивът и логиката да бъдат на обособени пластини, в които се употребява друг софтуерен развой. Обединението се реализира посредством милионите токопроводящи VIA (Vertical Interconnect Accesses) отверстия. Подобна технология употребява TSMC.
В елементарната архитектура на NAND флаш паметта, периферните схеми заемат към 20-30% от площта на чипа. При производството на 128-слойни чипове периферните схеми ще заемат над 50% от потребния размер. Новата памет на Xtacking отстранява този минус.
Освен това, по този метод доста ще нарасне скоростта за продан на данните. Очаква се до 3 Gb/s на чип. Най-бързата към сегашен ден Samsung 3D V-NAND флаш памет доближава 1,4 Gb/s.
Досега за производството на NAND флаш памети обичайно се използваше масив памет и ръководеща логичност (декодиране на адресите, буфериране на страниците и т.н.) ситуирани на една и съща пластина. Сега YMTC предлага NAND масивът и логиката да бъдат на обособени пластини, в които се употребява друг софтуерен развой. Обединението се реализира посредством милионите токопроводящи VIA (Vertical Interconnect Accesses) отверстия. Подобна технология употребява TSMC.
В елементарната архитектура на NAND флаш паметта, периферните схеми заемат към 20-30% от площта на чипа. При производството на 128-слойни чипове периферните схеми ще заемат над 50% от потребния размер. Новата памет на Xtacking отстранява този минус.
Освен това, по този метод доста ще нарасне скоростта за продан на данните. Очаква се до 3 Gb/s на чип. Най-бързата към сегашен ден Samsung 3D V-NAND флаш памет доближава 1,4 Gb/s.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ