Tsmc 2Nm - Новини

... Intel наема инженери от TSMC в Аризона, обещавайки 20-30% по-високи заплати. (function() { const banners = [ // --- БАНЕР 1 (Facebook Messenger) --- `

... продукти още през 2027 г. — година по-рано от първоначалния график. Производството на чипове, използващи по-модерната A16 технология, също ще започне там в съпоставими срокове.

... присъедини и Fab 21 в Аризона. Не забравяйте, че сред първите чипове, пуснати от TSMC по 2nm технологичен процес, ще се окаже следващият Mediatek Dimensity.

... Важно е да си припомним, че TSMC владее 70% от пазара на контрактно производство на чипове, докато делът на Samsung се е свил до 7,3%.

... компании се справят добре и сами. Това обаче не важи за Intel, която ще бъде спасявана от САЩ, срещу придобиване на 9,9% дял в компанията.

... второто предприятие на TSMC в Япония се отлага, поради инфраструктурни проблеми и липса на достатъчно свободни пътища. Отлагането към момента е с година и половина.

... ключова в надпреварата между AMD, Intel и Apple. Всеки от тях разчита на TSMC, поне в някаква степен, за да реализира следващото поколение високопроизводителни процесори.

... ще позволи на устройството да консумира по-малко енергия при повишени натоварвания — нещо, с което текущото семейство Tensor все още не се справя много добре.

... тайванският полупроводников изпълнител ще може да свързва пластините с помощта на проходни връзки със стъпка от 3 микрона до 2027 г., спрямо 9 микрона днес.

... Intel, той ще предостави възможност за намаляване на размера на транзисторите, а първите продукти, произведени по тази технология, се очакват не по-рано от 2025 г.

... твърде много предположения. Но е очевидно, че учените и разработчиците на TSMC работят активно върху производствени възли от следващо поколение. И то не само едно.

... на подложката. По този начин, ако има забавяне в усвояването на 2nm процес, TSMC рискува да изостане не само от Samsung, но и от Intel.

... две години по-късно от подобните чипове на Intel (20A), което също се отнася до плановете за пренос на захранващите линии на обратната страна на кристала.