Samsung има за цел да пусне HBM4 памет на пазара през 2025 година
Samsung желае да направи нов пробив в ерата на изкуствения разсъдък
Емил Василев преди 4 минути 4 СподелиНай-четени
ТелефониСветослав Димитров - 16:14 | 11.10.2023Ето от кои Android-смартфони притежателите са най-доволни през 2023 г
IT НовиниДаниел Десподов - 11:00 | 10.10.2023Ето каква е командата за инсталирането на Windows 11 на несъвместими с тази Оценка за съвместимост устройства
АвтомобилиДаниел Маринов - 21:20 | 08.10.20235 неща, които би трябвало да спрете да вършиме, в случай че карате кола с ръчна скоростна кутия
Емил Василевhttps://www.kaldata.com/През 2016 година Samsung първа в сектора пусна на пазара чипове памет от първо потомство HBM за потребление в сегмента на високопроизводителните компютри. Година по-късно беше показана 8-слойната HBM2 памет, последвана от HBM2E и HBM3, а през 2025 година компанията чака да показа HBM4 памет.
Според корпоративния блог на компанията, в чиповете от вид HBM4 ще се употребяват нововъведения, ориентирани към възстановяване на термодинамичните свойства на този вид артикули – казано по-просто, ще се ползват решения за по-добро отклоняване на топлината. При сглобяването на стекове памет ще се употребява непроводим полимерен пласт за спомагателна механична отбрана на инсталираните един върху различен чипове. Хибридният способ за свързване на медни проводници ще комбинира медни проводници с кино оксиден изолатор вместо обичайна заварка.
Освен това, както признават представители на Samsung, при започване на тази година компанията е основала поделение, което следи усъвършенстваните способи за пакетиране на чипове. Южнокорейският колос ще бъде подготвен да предложи на клиентите си услуги за тестване и пакетиране на чипове по 2,5D и 3D способи, които може да се окажат търсени от разработчиците на съставни елементи за високопроизводителни изчислителни системи и системи с изкуствен интелект.
Сред софтуерните си достижения Samsung включва и стартирането на пазара на чипове за оперативна памет от вида DDR5, позволяващи основаването на модули памет с потенциал 128 GB, както и преодоляването на 12-нанометров (nm) софтуерен развой в тази област. В бъдеще компанията чака да употребява процеси, по-тънки от 10 nm за производството на чипове памет.
В сферата на високопроизводителните калкулации почтено приложение може да откри и технологията HBM-PIM, която планува осъществяването на избрана част от изчисленията непосредствено от самия чип на паметта. В този случай продуктивността може да се усили до 12 пъти спрямо обичайна архитектура на чиповете памет. В допълнение към HBM, тази архитектура ще бъде внедрена и в чипове с памет, работещи с протокола CXL.
Според Samsung, неотдавна показаните LPCAMM RAM модули могат да се употребяват освен в портативни компютри, само че и в сървърни системи, където високата им компактност ще усили количеството употребена RAM памет без спомагателни условия за пространство. Такива модули памет ще заемат 60% по-малко място в съпоставяне със SO-DIMM, а продуктивността ще се усили с до 50%. Енергийната успеваемост на тези модули памет е с до 70% по-висока.
