Samsung ще изгради нов изследователски център за полупроводници в Южна Корея за 15 млрд. долара
Samsung Electronics постави основите на ново оборудване за проучване и разработка на полупроводници в Гехеунг, Република Корея. До 2028 година компанията ще влага 20 трилиона вона (15 милиарда щ. долара) в новия център. В него ще се организират най-съвременни проучвания на идващото потомство памети и други полупроводници, както и ще се създават нови революционни технологии.
Забележително е, че новите здания с повърхност 109 000 м2 ще бъдат издигнати в непосредствена непосредственост до кампуса на подразделението DS в Хвасон, където през 1992 година е създадена първата в света 64-милиметрова DRAM памет, с което се слага началото на водачеството на компанията в региона на полупроводниците.
"Новото ни съвременно оборудване за научноизследователска и развойна активност ще бъде център за нововъведения, където най-хубавите научни гении от целия свят ще могат да идват и да се развиват ", съобщи президентът на компанията Кие Хьон Кюн, който управлява и подразделението за решения за устройства (DS). „ Очакваме, че това ново начало ще постави основите на резистентен напредък в нашия бизнес с полупроводници. “
Не е загадка, че границите на мащабиране на полупроводниците са покрай теоретичния им лимит в границите на създадените софтуерни процеси. Това лято Samsung стана първата компания, която всеобщо създава чипове с транзистори с изцяло затворени канали GAA (Gate All Around). Със основаването на новия център за научноизследователска и развойна активност Samsung Electronics цели да разшири още повече границите на мащабирането на полупроводници и да ускори конкурентното си преимущество в региона на полупроводниковите технологии.
Забележително е, че новите здания с повърхност 109 000 м2 ще бъдат издигнати в непосредствена непосредственост до кампуса на подразделението DS в Хвасон, където през 1992 година е създадена първата в света 64-милиметрова DRAM памет, с което се слага началото на водачеството на компанията в региона на полупроводниците.
"Новото ни съвременно оборудване за научноизследователска и развойна активност ще бъде център за нововъведения, където най-хубавите научни гении от целия свят ще могат да идват и да се развиват ", съобщи президентът на компанията Кие Хьон Кюн, който управлява и подразделението за решения за устройства (DS). „ Очакваме, че това ново начало ще постави основите на резистентен напредък в нашия бизнес с полупроводници. “
Не е загадка, че границите на мащабиране на полупроводниците са покрай теоретичния им лимит в границите на създадените софтуерни процеси. Това лято Samsung стана първата компания, която всеобщо създава чипове с транзистори с изцяло затворени канали GAA (Gate All Around). Със основаването на новия център за научноизследователска и развойна активност Samsung Electronics цели да разшири още повече границите на мащабирането на полупроводници и да ускори конкурентното си преимущество в региона на полупроводниковите технологии.
Източник: glasove.com
КОМЕНТАРИ