С въвеждане на технологични процеси под 2 нм, Samsung ще

С въвеждане на софтуерни процеси под 2 нм, Samsung ще съкрати дистанцията от съперника в производството на чипове TSMC (снимка: Samsung)

Samsung Electronics форсира работата по своите 2- и 1,4-нанометрови софтуерни процеси за чипове и възнамерява да стартира произвеждане още през 2025 година, заяви TechPowerUp, базирайки се на източници от промишлеността.

Компанията конфигурира съвременно съоръжение в завода S3 в Хуасонг, с цел да построи 2-нм индустриална линия. Към първото тримесечие на идната година линията ще може да създава 7000 силициеви пластини месечно.

Освен това Samsung възнамерява да сътвори 1,4-нм индустриална линия в завода S5 в Пьонтек до второто тримесечие на идната година. Тази линия би трябвало да създава 2000-3000 пластини месечно.

До края на идната година Samsung ще трансферира всички останали 3-нм индустриални линии към S3 на 2 нанометра, съгласно осведомени източници от полупроводниковата промишленост.

По-рано стана ясно, че Samsung е отсрочил стартирането на своя цех в Тайлър, Тексас. Предприятието, планувано да отвори порти в края на 2024 година, няма да проработи до 2026 година

Освен това Samsung промени проектите си за линията Fab 4 в Пьонтек. Там ще се създава DRAM памет. А в завода Fab 3 в Пьонтек, където е конфигурирана 4-нм линия, компанията понижи размера на производството.

Тези промени са част от проекта на Samsung да създава 2-нм чипове през идната година и 1,4-нм чипове до 2027 година Компанията желае да настигне своя съперник TSMC. В момента Samsung държи 11,5% от международния пазар за произвеждане на чипове, до момента в който TSMC води с 62,3%.