Производството на HBM3E буквално е златна мина за SK hynix,

Производството на HBM3E безусловно е златна мина за SK hynix, която доста усъвършенства финансовото положение на компанията. Поради тази причина тя разпорежда специфични очаквания на HBM4 и употребява CES 2026, с цел да покаже мостри на 16-слойни чипове с потенциал 48GB.

Според прессъобщение на уеб страницата на SK hynix това е първият път, когато тя демонстрира мостри на 16-слойна HBM4 памет. Преди това компанията към този момент сподели 12-слойни HBM4 чипове с потенциал 36GB, които осигуряваха скорост на трансфер на информация до 11,7 Gbit/s. SK hynix признава, че във връзка с продажбите точно 36-гигабайтовите HBM3E чипове с 12-слойно оформление ще движат бизнеса на компанията през тази година.

RAM модулите с ниска консумация на сила от вида SOCAMM2 ще намерят приложение и в сървърния сегмент. В мобилния сегмент LPDDR6 ще бъде усъвършенствана за крайни калкулации с изкуствен интелект, като ще се реализира верният баланс сред продуктивност и консумация на сила.

На щанда на SK hynix в Лас Вегас ще бъдат показани и мостри на 321-слойна QLC 3D NAND флаш памет, която ще разреши основаването на eSSD устройства с огромен потенциал. Тази памет също по този начин съчетава висока продуктивност с ниска консумация на сила, което е изключително скъпо в областта на центровете за обработка на данни.

Компанията ще се концентрира и върху други нововъведения, в това число основаването на персонализиран HBM4, при който някои функционалности ще бъдат осъществени на равнище базов бистър стек по характерен за клиента метод. Паметта от вид PIM също е една от най-обещаващите области на развиване на SK hynix. Технологията AiMX допуска ускорение на изчисленията в системите с изкуствен интелект на равнище памет от вида GDDR6. Друг тип периферни калкулации на равнище памет е технологията Compute-using-DRAM (CuD). Изчисленията ще се правят даже от страна на SSD, а интерфейсът CXL ще форсира обмена на данни сред другите съставни елементи на изчислителните системи.