Чип индустрията не се спира: работи по 0,1-нм технология
Новият развой ще бъде усвоен до 2040 година, предвижда Imec
Усвояването на 0,1-нанометрова технология за чипове ще стане факт през 2040 година
(снимка: Imec)
Полупроводниковата промишленост не може да се помири с физическите бариери пред миниатюризацията на чиповете. Докато сега някои производители усвояват 3-нанометровия софтуерен развой, проектите в близка вероятност се простират до невероятните 0,1 нм.
Белгийският проучвателен център Imec си сътрудничи със международни водачи в региона на производството на чипове и обрисува развиването за няколко години напред. Според експертите на Imec, до 2037 година производителите на чипове ще овладеят софтуерния развой A2, а три години по-късно ще преодолеят бариерата от 0,1 нм.
Въз основа на обозначенията, признати от TSMC, софтуерният развой A2 подхожда на литографски стандарти от 0,2 нанометра или 2 ангстрьома. През 2040 година полупроводниковата промишленост може да преодолее бариерата от 1 ангстрьом, в случай че се осъществен прогнозите на изпълнителния шеф на Imec Люк Ван ден Хоув, огласени на софтуерен конгрес в Тайван, за който оповестява Commercial Times.
Следващата година полупроводниковата промишленост ще стартира произвеждане на 2-нм чипове и като част от този софтуерен развой структурата на транзистора ще се промени от FinFET към нанолистове (Nanosheet), а през 2027 година, след прехода към софтуерния развой A7, ще бъде въведен транзисторът CFET.
Според представителя на Imec, стартирането на чипове, употребяващи технологията A14, допуска наложителен преход към потреблението на съоръжение с висока числова апертура (High-NA EUV).
За TSMC миграцията към High-NA EUV е съвсем даденост. Най-големият производител на чипове по контракт неведнъж е заявявал, че няма желание да употребява такова съоръжение с софтуерния развой A16. Тайванският колос възнамерява да овладее High-NA EUV през втората половина на 2026 г.
Усвояването на 0,1-нанометрова технология за чипове ще стане факт през 2040 година
(снимка: Imec)
Полупроводниковата промишленост не може да се помири с физическите бариери пред миниатюризацията на чиповете. Докато сега някои производители усвояват 3-нанометровия софтуерен развой, проектите в близка вероятност се простират до невероятните 0,1 нм.
Белгийският проучвателен център Imec си сътрудничи със международни водачи в региона на производството на чипове и обрисува развиването за няколко години напред. Според експертите на Imec, до 2037 година производителите на чипове ще овладеят софтуерния развой A2, а три години по-късно ще преодолеят бариерата от 0,1 нм.
Въз основа на обозначенията, признати от TSMC, софтуерният развой A2 подхожда на литографски стандарти от 0,2 нанометра или 2 ангстрьома. През 2040 година полупроводниковата промишленост може да преодолее бариерата от 1 ангстрьом, в случай че се осъществен прогнозите на изпълнителния шеф на Imec Люк Ван ден Хоув, огласени на софтуерен конгрес в Тайван, за който оповестява Commercial Times.
Следващата година полупроводниковата промишленост ще стартира произвеждане на 2-нм чипове и като част от този софтуерен развой структурата на транзистора ще се промени от FinFET към нанолистове (Nanosheet), а през 2027 година, след прехода към софтуерния развой A7, ще бъде въведен транзисторът CFET.
Според представителя на Imec, стартирането на чипове, употребяващи технологията A14, допуска наложителен преход към потреблението на съоръжение с висока числова апертура (High-NA EUV).
За TSMC миграцията към High-NA EUV е съвсем даденост. Най-големият производител на чипове по контракт неведнъж е заявявал, че няма желание да употребява такова съоръжение с софтуерния развой A16. Тайванският колос възнамерява да овладее High-NA EUV през втората половина на 2026 г.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ