Учените създадоха нов ултратънък материал: чиповете ще станат по-бързи и енергоефективни
Екип от откриватели от Пекинския университет, Университета Ренмин и Института по физика на Китайската академия на науките са създали способ за основаване на полупроводников материал с дебелина единствено 0,7 nm. То ще помогне чиповете да станат по-ефективни, написа South China Morning Post.
Учените изследват двуизмерни (2D) дихалкогениди на преходни метали (ДПМ) като опция на силиция. Дебелината им доближи 0,7 nm, което е доста по-малко от дебелината на силиция — 5-10 nm. ДПМ също по този начин употребяват по-малко сила и имат превъзходни свойства за превозване на електроните, което ги прави идеални за ултратънки транзистори в електронните и фотонни чипове от последващо потомство.
Досега производството на ДПМ беше предизвикателство, само че технологията, която учените създадоха, разрешава бързото произвеждане на висококачествени 2D кристали на веществото, което прави допустимо всеобщото произвеждане.
Традиционният развой на произвеждане включваше сглобяване пласт по пласт на атомите върху поставка, само че това докара до кристали с незадоволителна непорочност. Изследователите слагат първия пласт от атоми върху подложката, както са правили преди, само че слагат идващия пласт сред подложката и първия бистър пласт, движейки се нагоре, с цел да образуват нови пластове.
Иновативният способ на „ възходящите кристали на границата на раздела “ подсигурява, че структурата на всеки бистър пласт се дефинира от подложката, предотвратявайки натрупването на недостатъци и подобрявайки структурната контролируемост. Този способ направи допустимо постигането на скорост за формиране от 50 пласта в минута, с оптимален брой от 15 000 пласта.
Висококачествените 2D кристали се състоят от молибденов дисулфид, молибденов диселенид, волфрамов дисулфид, волфрамов диселенид, ниобиев дисулфид, ниобиев диселенид и молибденов сулфоселенид. Според откривателите тези материали дават отговор на интернационалните стандарти за материали за интегрални схеми.
Тези 2D-кристали, употребявани като материали за транзисторите в интегралните схеми, ще разрешат доста по-висока компактност на транзисторите върху чипа с размер на нокът, което ще усили изчислителната мощ.
