SK hynix създаде достъпен заместител на HBM паметта за видеокарти за игри – DRAM чипове, свързани помежду си
Южнокорейската компания SK hynix ще разгласява през идната година резултатите от разработките си за консолидиране на чипове памет по метода „ 2.5D Fan-out “. Този способ включва свързване на два чипа „ отдолу-нагоре “ и до момента не е употребен в производството на чипове за памет, отбелязва изданието Business Korea, базирайки се на източници от промишлеността.
Този нов способ предлага да се слагат два DRAM чипа един до различен хоризонтално и по-късно да се комбинират, като че ли са един чип. Характерното за него е, че готовият чип е по-тънък, защото под чиповете не се прибавя субстрат.
Според източника TSMC ползва подобен способ за консолидиране на хетерогенни чипове и е намерила приложение при производството на процесори за Apple, само че производителите наизуст към момента не са обърнали внимание на тази технология. Както знаем, отвесната интеграция на чипове памет от вида HBM може доста да усили широчината на интерфейсната лента, само че това е доста безценен способ и по този начин нареченото „ 2,5D Fan-out “ може да бъде рационална опция при производството на други чипове от вида DRAM. Очаква се SK hynix да приложи този способ на интеграция при производството наизуст от вида GDDR за видеокарти от геймърски клас.
Както е известно, AMD един път опитва с потреблението наизуст от вида HBM от първо потомство в потребителски графични решения, само че концепцията не беше развита заради лимитираната икономическа целенасоченост. Може би, в случай че SK hynix отиде по-далеч от своите съперници в потреблението на различно 2,5D оформление, ще може да получи избрани преимущества при сключването на контракти с NVIDIA и AMD при производството на съставни елементи за идващото потомство графични карти за игри. Въпреки това, защото през идната година ще бъдат показани единствено резултатите от проучванията в тази област, не можем да чакаме скоро да забележим този вид оформление в всеобщото произвеждане наизуст.
