Samsung Electronics сподели плановете си да анонсира по време на

...
Samsung Electronics сподели плановете си да анонсира по време на
Коментари Харесай

Samsung представи новата GDDR6 памет с пропускателна способност 16 Gb/s

Samsung Electronics показа проектите си да анонсира по време на CES 2018 своята първа GDDR6 памет, която ще се употребява във видеокартите от последващо потомство. Новият чип е индексиран като K4ZAF325BM-HC14 и е с потенциал 16 Gb (2 GB). Чипът получи премията “Най-добра иновация за CES 2018”.
Samsung акцентира, че новата GDDR6 памет е “най-бързата и най-ефективната DRAM за графичните решения от последващо поколение”. Чипът работи при напрежение 1,35 V и има пропускателна дарба 16 Gb/s на линия.

Използването на GDDR6 памети в графичните карти с 256-битови шини внезапно ще усили пропускателната дарба на паметта до 512 GB/s или даже до 768 GB/s при топ-видеокартите с 384-битова шина. За съпоставяне, графичната карта Nvidia Titan X с 12 GB GDDR5X с ефикасна периодичност 11,4 GHz има пропускателна дарба на паметта към 548 GB/s.



Засега не се знае по кое време тъкмо ще стартира всеобщото произвеждане на новата памет. Очаква се това да стане напролет на 2018 година, а може и малко по-късно, по-близо до анонса на новите Nvidia GeForce GTX с архитектура Volta.

GDDR паметите се употребяват най-вече от NVIDIA. В своите нови планове AMD употребява HBM памет и наподобява, че през 2018 година това състояние на нещата ще се резервира.
Източник: kaldata.com

СПОДЕЛИ СТАТИЯТА


Промоции

КОМЕНТАРИ
НАПИШИ КОМЕНТАР