Intel е готов за масовото производство на MRAM памет
Интернет изданието EETimes заяви, че Intel е подготвен да стартира всеобщото произвеждане на магниторезистивната STT-MRAM оперативна памет (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). За производството на новия вид RAM процесорният колос е приспособил своя 22 нанометров FinFET софтуерен развой и има намерение да интегрира MRAM клетките в най-различни устройства, в това число и в продуктите от концепцията „интернет на нещата“.
STT-MRAM паметта е един от най-перспективните претенденти за подмяна на обичайните DRAM и NAND оперативна памет. Тя съчетава енергийна самостоятелност, високи скорости за четене и запис на данните и голям запас. Според експертите на Intel, които показаха отчет на тази тематика по време на събитието ISSCC 2019, MRAM клетките могат да съхраняват информацията в продължение на 10 години при температура до 200 градуса по Целзий и устоят над един милион цикъла на презапис.
Още едно достолепие на MRAM паметта е, че Intel е постигнал извънредно ниски стойности на брака. При потреблението на 22 нанометровия софтуерен развой, производството на качествени MRAM кафези е над 99,9%. Техническите анализатори са на мнение, че при производството на новата памет Intel употребява повече технологии в сравнение с използва в своите 14 нм полупроводникови артикули.
По време на конференцията ISSCC 2019 процесорният колос сподели първите мостри от новата памет, в която скоростта на продан на информацията зависи от захранващото напрежение.
STT-MRAM паметта е един от най-перспективните претенденти за подмяна на обичайните DRAM и NAND оперативна памет. Тя съчетава енергийна самостоятелност, високи скорости за четене и запис на данните и голям запас. Според експертите на Intel, които показаха отчет на тази тематика по време на събитието ISSCC 2019, MRAM клетките могат да съхраняват информацията в продължение на 10 години при температура до 200 градуса по Целзий и устоят над един милион цикъла на презапис.
Още едно достолепие на MRAM паметта е, че Intel е постигнал извънредно ниски стойности на брака. При потреблението на 22 нанометровия софтуерен развой, производството на качествени MRAM кафези е над 99,9%. Техническите анализатори са на мнение, че при производството на новата памет Intel употребява повече технологии в сравнение с използва в своите 14 нм полупроводникови артикули.
По време на конференцията ISSCC 2019 процесорният колос сподели първите мостри от новата памет, в която скоростта на продан на информацията зависи от захранващото напрежение.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ