Samsung пуска 3-нанометрово производство през 2021 г.
Бъдещите чипове ще се създават по нова технология GAAFET
Samsung ще пристъпи към произвеждане на GAAFET чипове по-рано, в сравнение с се очакваше (снимка: Samsung)
Корейският софтуерен колос Samsung възнамерява да стартира всеобщо произвеждане на чипове по 3-нанометров развой GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) през 2021 година, оповестяват профилирани издания.
Samsung и други компании създават полупроводниковата технология GAAFET от началото на новия век. Тази технология би трябвало да размени настоящата сега FinFET (Fin Field-Effect Transistor) и да преодолее съществуващите ограничавания в продуктивността и мащабируемостта, отбелязва Tom’s Hardware.
Архитектурата на транзисторите GAAFET допуска, что кръглият нанопроводников канал, ситуиран отвесно или хоризонтално, ще бъде обзет от всички страни от пандиза (гейт). При транзисторите FinFET пандизът опасва канала не изцяло, а единствено от три страни.
Подходът GAAFET понижава загубата на напрежение и усилва успеваемостта на работа на транзисторите. А това, от своя страна, разрешава да бъде понижено работното напрежение и надлежно потреблението на сила.
Преди две години Samsung разгласи, че ще стартира произвеждане по 4-нм технология GAAFET през 2020 година Тогава някои анализатори бяха скептични и твърдяха, че всеобщото произвеждане с потребление на GAAFET надали ще започва по-рано от 2022 година Сега обаче този песимизъм е преодолян и даже се чака Samsung да пристъпи към произвеждане на GAAFET чипове по-рано, в сравнение с се очакваше.
В момента Samsung е водач в усвояването на 7-нанометрова „ рискова ултравиолетова литография ” (EUV). Корейската компания към този момент има чипове по тази технология, а към средата на годината възнамерява да пусне всеобщото им произвеждане.
още по тематиката
Конкурентите TSMC и Global Foundries, на собствен ред, към момента се намират на по-ранни стадии на асимилиране на EUV литографията, означават наблюдаващите на пазара за полупроводници.
Samsung ще пристъпи към произвеждане на GAAFET чипове по-рано, в сравнение с се очакваше (снимка: Samsung)
Корейският софтуерен колос Samsung възнамерява да стартира всеобщо произвеждане на чипове по 3-нанометров развой GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) през 2021 година, оповестяват профилирани издания.
Samsung и други компании създават полупроводниковата технология GAAFET от началото на новия век. Тази технология би трябвало да размени настоящата сега FinFET (Fin Field-Effect Transistor) и да преодолее съществуващите ограничавания в продуктивността и мащабируемостта, отбелязва Tom’s Hardware.
Архитектурата на транзисторите GAAFET допуска, что кръглият нанопроводников канал, ситуиран отвесно или хоризонтално, ще бъде обзет от всички страни от пандиза (гейт). При транзисторите FinFET пандизът опасва канала не изцяло, а единствено от три страни.
Подходът GAAFET понижава загубата на напрежение и усилва успеваемостта на работа на транзисторите. А това, от своя страна, разрешава да бъде понижено работното напрежение и надлежно потреблението на сила.
Преди две години Samsung разгласи, че ще стартира произвеждане по 4-нм технология GAAFET през 2020 година Тогава някои анализатори бяха скептични и твърдяха, че всеобщото произвеждане с потребление на GAAFET надали ще започва по-рано от 2022 година Сега обаче този песимизъм е преодолян и даже се чака Samsung да пристъпи към произвеждане на GAAFET чипове по-рано, в сравнение с се очакваше.
В момента Samsung е водач в усвояването на 7-нанометрова „ рискова ултравиолетова литография ” (EUV). Корейската компания към този момент има чипове по тази технология, а към средата на годината възнамерява да пусне всеобщото им произвеждане.
още по тематиката
Конкурентите TSMC и Global Foundries, на собствен ред, към момента се намират на по-ранни стадии на асимилиране на EUV литографията, означават наблюдаващите на пазара за полупроводници.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ