Създават транзистор с вградена FeRAM памет
За задачата учените употребяват свойствата на алфа-индиев селенид
Комбинирането на транзистори и памет в един чип форсира компютърните калкулации
(снимка: Purdue University/Vincent Walter)
О бработката и съхранението на данни в компютърните системи кардинално се случват в разнообразни модули – процесора и паметта . Комбинирането на изчислителни детайли и кафези памет в един чип може да форсира работата на компютрите.
Пилотното произвеждане на вградена STT-MRAM памет от Intel, Samsung и други разработчици сближи процесорите с паметта. Магнеторезистивният тунелен преход може да бъде вграден в контактната група директно под транзистора, което прави структурата вентил-клетка (1T1C) много плътна.
Още по-голяма компактност може да се реализира, в случай че се употребява фероелектрична клетка памет, комбинирана с транзистор. От десетилетия откривателите се пробват да интегрират двата детайла, само че проблеми в интерфейса сред фероелектрическия материал и силиция, от който е изработен транзисторът, лимитират капацитета на сходни разработки.
Учени от проучвателен център „ Purdue Discovery Park Birck Nanotechnology Center ” към университета Пърдю споделят проучване, в което са съумели да основат полеви транзистор с интегриран тунелен преход от материал със свойствата на фероелектрик – това е диелектрик, т.е. материал с изолационни свойства. Фероелектриците имат толкоз необятна неразрешена зона, че електроните не могат да обхванат през тях, до момента в който полупроводниците и по-специално силицият елементарно придвижват електрони.
В допълнение към тези свойства, фероелектриците имат друго качество, което предотвратява основаването на кафези памет върху индивидуален силициев кристал с транзистори. Силицият не се комбинира непосредствено с фероелектрични материали. Той бива „ токсичен ” от тях, както споделят учените. За да предотвратят този негативен резултат и да основат FeRAM клетка памет като част от транзистора, учените са избрали полупроводников материал със свойствата на фероелектрик.
още по тематиката
Този материал е „ алфа-индиев селенид ” – има дребна широчина на неразрешената зона и може да пропуща електричество. Тъй като е полупроводник, нищо не пречи да се комбинира със силиция.
Изследвания, опити и модели демонстрират, че с подобаваща оптимизация, полеви транзистор с алфа-индиев селенид може да надмине характерностите на съществуващите полеви транзистори и да разреши основаване на кафези памет в тях. Дебелината на тунелния преход в този материал може да бъде 10 нм и даже по-малка – един пласт от атоми.
Комбинирането на транзистор и памет дава обещание основаване на чипове, които се отличават с извънредно висока компактност на детайлите в тях. Перспективната разработка се финансира главно от американските военни.
Комбинирането на транзистори и памет в един чип форсира компютърните калкулации
(снимка: Purdue University/Vincent Walter)
О бработката и съхранението на данни в компютърните системи кардинално се случват в разнообразни модули – процесора и паметта . Комбинирането на изчислителни детайли и кафези памет в един чип може да форсира работата на компютрите.
Пилотното произвеждане на вградена STT-MRAM памет от Intel, Samsung и други разработчици сближи процесорите с паметта. Магнеторезистивният тунелен преход може да бъде вграден в контактната група директно под транзистора, което прави структурата вентил-клетка (1T1C) много плътна.
Още по-голяма компактност може да се реализира, в случай че се употребява фероелектрична клетка памет, комбинирана с транзистор. От десетилетия откривателите се пробват да интегрират двата детайла, само че проблеми в интерфейса сред фероелектрическия материал и силиция, от който е изработен транзисторът, лимитират капацитета на сходни разработки.
Учени от проучвателен център „ Purdue Discovery Park Birck Nanotechnology Center ” към университета Пърдю споделят проучване, в което са съумели да основат полеви транзистор с интегриран тунелен преход от материал със свойствата на фероелектрик – това е диелектрик, т.е. материал с изолационни свойства. Фероелектриците имат толкоз необятна неразрешена зона, че електроните не могат да обхванат през тях, до момента в който полупроводниците и по-специално силицият елементарно придвижват електрони.
В допълнение към тези свойства, фероелектриците имат друго качество, което предотвратява основаването на кафези памет върху индивидуален силициев кристал с транзистори. Силицият не се комбинира непосредствено с фероелектрични материали. Той бива „ токсичен ” от тях, както споделят учените. За да предотвратят този негативен резултат и да основат FeRAM клетка памет като част от транзистора, учените са избрали полупроводников материал със свойствата на фероелектрик.
още по тематиката
Този материал е „ алфа-индиев селенид ” – има дребна широчина на неразрешената зона и може да пропуща електричество. Тъй като е полупроводник, нищо не пречи да се комбинира със силиция.
Изследвания, опити и модели демонстрират, че с подобаваща оптимизация, полеви транзистор с алфа-индиев селенид може да надмине характерностите на съществуващите полеви транзистори и да разреши основаване на кафези памет в тях. Дебелината на тунелния преход в този материал може да бъде 10 нм и даже по-малка – един пласт от атоми.
Комбинирането на транзистор и памет дава обещание основаване на чипове, които се отличават с извънредно висока компактност на детайлите в тях. Перспективната разработка се финансира главно от американските военни.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ