Тайванският чипмейкър TSMC обяви напредък в новите CFET транзистори за

Тайванският чипмейкър TSMC разгласи прогрес в новите CFET транзистори за чипове
(снимка: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited)

Лабораториите на TSMC към този момент разполагат с работещи чипове със CFET транзистори (Complementary FET), съобщи представител на тайванския производител по време на софтуерен симпозиум в Европа.  Компанията обаче има да извърви още път преди да предложи CFET артикули на пазара.

CFET транзисторите са в доста ранен стадий на разработка. До влизането им в всеобщо произвеждане ще се появят няколко генерации други типове транзистори, отбелязва AnandTech.

Преди CFET се чакат GAA транзистори с кръговиден гейт, които TSMC ще вкара с идната 2-нм N2 технология. CFET ще станат идеологически наследници на GAAFET, с преимущества по отношение на тях и FinFET в енергийната успеваемост, продуктивността и плътността на транзисторите.

Всички тези преимущества обаче към момента са единствено доктрина, която зависи от това дали проектантите ще съумеят да преодолеят забележителните софтуерни компликации, свързани освен с производството, само че и с създаването на този вид транзистори.

По-специално, както отбелязва TSMC, производството на CFET транзистори ще изисква извънредно прецизни литографски принадлежности, с цел да се слагат n-тип и p-тип полупроводникови детайли един до различен, както и най-висококачествени материали с нужните електрически свойства.
още по темата
Като всеки производител на чипове, TSMC създава и изследва разнообразни типове транзистори.  CFET е в проектите и на Intel. Въпреки това TSMC първа заяви, че е получила работещи CFET в лаборатория.

Сега предизвикването пред тайванската компания е да разбере по какъв начин да създава всеобщо тези транзистори. Според източници от чипмейкъра, това несъмнено няма да се случи в близко бъдеще.

„ Всичко оттатък нанолистовете [в пътната карта на TSMC] е въпрос на далечно бъдеще. Продължаваме да работим на няколко фронта. Сега изследваме всички [типове транзистори] като претенденти за бъдещо произвеждане, само че не можем да кажем тъкмо коя архитектура на транзисторите ще се употребява след нанолистовете ”, разяснява Кевин Джан, вицепрезидент и шеф по софтуерно развиване на TSMC.

По думите на Джан, TSMC възнамерява да употребява GAA транзистори за производството на чипове в продължение на няколко години. „ Използването на нанолистове ще стартира от 2 нанометра. Логично е да се допусна, че нанолистовете ще се употребяват най-малко за няколко последващи генерации. Така че, в случай че приказваме за CFET… ние използваме едни и същи FinFET [транзистори] в продължение на пет генерации, т.е. повече от 10 години “, споделя той.