Samsung пусна на пазара 9-то поколение TLC 3D V-NAND с рекордни скорости на интерфейса
Samsung разгласи, че е почнала всеобщо произвеждане на 3D V-NAND TLC чипове за флаш памет от 9-то потомство с потенциал 1 TB. Новите чипове оферират по-голяма компактност и енергийна успеваемост спрямо 3D V-NAND TLC чиповете памет от 8-мо потомство.
Производителят не прецизира броя на пластовете, употребявани в състава на паметта 3D V-NAND TLC от 9-то потомство, както и процеса, употребен за производството им. Въпреки това Samsung означи, че с помощта на най-компактния размер на клетката в промишлеността, плътността на битовете на чиповете 3D V-NAND TLC от 9-то потомство е усъвършенствана с към 50% спрямо предходното потомство 3D V-NAND TLC памет. Производителят заяви също, че в новите чипове памет се употребява технология за попречване на разстройства, клетките имат по-дълъг живот, а отводът от фиктивни отвори в проводящите канали е разрешил доста да се понижи равнинната повърхност на клетките памет.
9-тото потомство 3D V-NAND TLC флаш памет е оборудвано с интерфейс от ново потомство Toggle 5.1, който е нараснал скоростта на вход/изход с 33% до 3,2 Gbps на извод. В същото време компанията е понижила потреблението на сила с 10 % спрямо последното потомство.
През втората половина на годината Samsung възнамерява да стартира производството на девето потомство 3D V-NAND флаш памет с QLC кафези.
