Samsung е с една стъпка по-близо до HBM4 – компанията е готова да пусне DRAM от 6-то поколение
Samsung Electronics получи вътрешно удостоверение, че е подготвена за всеобщо произвеждане на DRAM памет от шесто потомство. Компанията е приключила създаването на усъвършенствания 10nm софтуерен развой от клас 1c, оповестява Korea Herald. Това приближава Samsung до стартирането на HBM4 памет.
По-рано беше обявено, че по време на тестването на 1c софтуерния развой, Samsung е съумял да реализира рандеман на положителни артикули на равнище от 50% до 70%. По този метод корейският производител съблюдава личния си график за промяна на поколенията от артикули почти на всеки две години. Това е от изключително значение за тактиката на Samsung в региона на високоскоростната памет — стартирането на всеобщо произвеждане на HBM4 стекове, основани на DRAM от шесто потомство, е планувано за втората половина на тази година.
През май компанията разгласи, че HBM4 ще употребява хибридна технология за свързване, с цел да понижи топлината, като в същото време обезпечи висока пропускателна дарба на паметта, което ще помогне за посрещане на възходящите условия на AI-ускорителите и високопроизводителните изчислителни системи.
В момента преобладаващата компания за HBM SK hynix също създава HBM4, само че основана на DRAM памет от пето потомство. През март тя стартира да доставя образци на HBM4 на главните си клиенти, с упованието всеобщото произвеждане на тази памет да стартира през втората половина на годината. Samsung към момента не е получил утвърждение за своя вид HBM4 от Nvidia, което би могло да ѝ обезпечи огромни поръчки; корейският производител чака и утвърждение за 12-слойния HBM3E, където разчита на съдействие както с Nvidia, по този начин и с AMD.
