Samsung започва масовото производство на 8 GB HBM2 чипове от второ поколение
Samsung Electronics публично разгласи пред медиите, че е стартирано всеобщото произвеждане на многослойни чипове HBM2 памет от второ потомство с потенциал 8 GB.
Новите чипове се назовават Aquabolt , а техният интерфейс е доста по-бърз спрямо предходните модели. Чиповете ще се употребяват в доста компютърни области, където са нужни бързи и производителни калкулации, само че за потребителите най-интересно ще е тяхното потребление в новите видеокарти.
Новите 8 GB чипове Samsung HBM2 от второ потомство обезпечават пропускателна дарба 2,4 Gb/s на линия при захранващо напрежение 1,2 V. Да си напомним, че аналогичните чипове на Samsung от първо потомство са със скорост за продан на данните 1,6 Gb/s при напрежение 1,35 V. Това значи, че растежът на бързодействието е към 50%.
Общата пропускателна дарба на чиповете Samsung HBM2 е 307 GB/s. Съответно, четири сходни чипа с общ потенциал 32 GB ще могат да обезпечат пропускателна дарба от равнище 1,2 TB/s.
Samsung е постигнала тези впечатляващи индикатори посредством рационализиране на технологията на отвесните връзки through-silicon-via (TSV) и увеличение на броя на линиите сред пластовете. Увеличена е и дебелината на подложката, което покачва надеждността на чипа.
Новите чипове се назовават Aquabolt , а техният интерфейс е доста по-бърз спрямо предходните модели. Чиповете ще се употребяват в доста компютърни области, където са нужни бързи и производителни калкулации, само че за потребителите най-интересно ще е тяхното потребление в новите видеокарти.
Новите 8 GB чипове Samsung HBM2 от второ потомство обезпечават пропускателна дарба 2,4 Gb/s на линия при захранващо напрежение 1,2 V. Да си напомним, че аналогичните чипове на Samsung от първо потомство са със скорост за продан на данните 1,6 Gb/s при напрежение 1,35 V. Това значи, че растежът на бързодействието е към 50%.
Общата пропускателна дарба на чиповете Samsung HBM2 е 307 GB/s. Съответно, четири сходни чипа с общ потенциал 32 GB ще могат да обезпечат пропускателна дарба от равнище 1,2 TB/s.
Samsung е постигнала тези впечатляващи индикатори посредством рационализиране на технологията на отвесните връзки through-silicon-via (TSV) и увеличение на броя на линиите сред пластовете. Увеличена е и дебелината на подложката, което покачва надеждността на чипа.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ