ULTRARAM разработка обещава универсална памет
Съчетава скоростта на DRAM и енергийната самостоятелност на NAND
Британски учени са на път да основат мечтаната универсална памет
(снимка: CC0 Public Domain)
Изобретение на физици от университета Ланкастър (Великобритания) дава обещание да реши казуса с неналичието на универсалната памет – т.е. памет, която да е задоволително бърза и в същото време енергийнонезависима.
През юни предходната година сп. Nature разгласява публикация за научна разработка на нов вид памет, която съчетана преимуществата на DRAM в скоростта и на NAND в енергийната самостоятелност. Описаната клетка памет употребява квантовите свойства на електрона – заради вълновия му темперамент, той може да се тунелира през неразрешена преграда. За задачата електронът би трябвало да има несъмнено количество „ резонансна ” сила.
Когато към клетката се приложи дребен капацитет – до 2,6 V, електроните стартират да тунелират през трислойна преграда от индиев арсенид и алуминиеви антимонидни материали (InAs/AlSb). При естествени условия тази преграда предотвратява прекосяването на електроните и ги задържа в клетката, без подаване на сила, което разрешава запазване на цената, записана в клетката, за дълго време.
още по тематиката
В януарския брой на сп. „ IEEE Transaction on Electron Devices ” откривателите разкриват, че са съумели да основат надеждни схеми за четене на данни от такива кафези и да комбинират клетките в масиви памет. Физиците откриват, че „ рязкостта на преходните бариери ” основава предпоставки за основаване на доста плътни масиви от кафези.
В процеса на симулация за 20-нм технология излиза наяве, че енергийната успеваемост на предлаганите кафези памет може да бъде 100 пъти по-добра от тази на DRAM. В същото време скоростта на новата ULTRARAM памет, както я назовават учените, е сравнима със скоростта на DRAM – в границите на 10 наносекунди.
В момента учените се занимават с планиране на ULTRARAM масиви и прекачване на решението върху силиций. Започнал е и стадият на планиране на логичен възли за запис и четене на данни от клетките. Учените са записали и запазена марка, с цел да обозначат новата памет.
Британски учени са на път да основат мечтаната универсална памет
(снимка: CC0 Public Domain)
Изобретение на физици от университета Ланкастър (Великобритания) дава обещание да реши казуса с неналичието на универсалната памет – т.е. памет, която да е задоволително бърза и в същото време енергийнонезависима.
През юни предходната година сп. Nature разгласява публикация за научна разработка на нов вид памет, която съчетана преимуществата на DRAM в скоростта и на NAND в енергийната самостоятелност. Описаната клетка памет употребява квантовите свойства на електрона – заради вълновия му темперамент, той може да се тунелира през неразрешена преграда. За задачата електронът би трябвало да има несъмнено количество „ резонансна ” сила.
Когато към клетката се приложи дребен капацитет – до 2,6 V, електроните стартират да тунелират през трислойна преграда от индиев арсенид и алуминиеви антимонидни материали (InAs/AlSb). При естествени условия тази преграда предотвратява прекосяването на електроните и ги задържа в клетката, без подаване на сила, което разрешава запазване на цената, записана в клетката, за дълго време.
още по тематиката
В януарския брой на сп. „ IEEE Transaction on Electron Devices ” откривателите разкриват, че са съумели да основат надеждни схеми за четене на данни от такива кафези и да комбинират клетките в масиви памет. Физиците откриват, че „ рязкостта на преходните бариери ” основава предпоставки за основаване на доста плътни масиви от кафези.
В процеса на симулация за 20-нм технология излиза наяве, че енергийната успеваемост на предлаганите кафези памет може да бъде 100 пъти по-добра от тази на DRAM. В същото време скоростта на новата ULTRARAM памет, както я назовават учените, е сравнима със скоростта на DRAM – в границите на 10 наносекунди.
В момента учените се занимават с планиране на ULTRARAM масиви и прекачване на решението върху силиций. Започнал е и стадият на планиране на логичен възли за запис и четене на данни от клетките. Учените са записали и запазена марка, с цел да обозначат новата памет.
Източник: technews.bg
КОМЕНТАРИ