SK hynix се подготвя да пусне 400-слойна флаш памет до края на 2025 година
С изострянето на борбата за водачество в региона на HBM се ускорява и конкуренцията на пазара на NAND. SK hynix стартира да създава 400-слойна NAND флаш памет, с цел да обезпечи по-висока компактност на предпазване, като възнамерява да стартира всеобщо произвеждане на технологията до края на 2025 година.
Според отчет на анализаторската компания TrendForce, която се базира на отчет на корейското издание etnews, SK hynix сега към този момент работи с сътрудници и снабдители на съоръжение, чиито връзки са нужни за създаване на процесите за произвеждане на NAND с повече от 400 пласта, употребявайки хибридна технология за свързване сред плочи (W2W). Увеличаването на броя на пластовете би трябвало да усъвършенства продуктивността и енергийната успеваемост на NAND паметта, което съгласно специалистите ще има позитивно влияние върху характерностите на устройствата, които я употребяват.
Преди това компанията използваше метода Peripheral Under Cell (PUC) и поставяше логиката за ръководство под клетките NAND, само че с увеличението на броя на пластовете се появиха проблеми с повреждането на периферните схеми заради високата температура и налягане. Новият способ включва разработване на клетките и контролните вериги върху обособени пластини и свързването им по-късно, което би трябвало да докара до безпроблемно увеличение на броя на NAND пластовете.
Но SK hynix не е единствената компания, която прави научноизследователска и развойна активност в региона на увеличението на броя на пластовете NAND памет. По-рано Samsung удостовери, че е почнала всеобщо произвеждане на 1 терабайт клетка на тройно равнище (TLC) от 9-о NAND (V-NAND) потомство, като броят на пластовете доближава 290, поставяйки си за цел да усили броя на V-NAND пластовете до 1000 до 2030 година. На собствен ред американската компания Micron Technology разгласи SSD 2650 диска за клиенти, който е първият артикул, построен въз основата на 3D NAND с 276 равнища, а японският производител на чипове за памет Kioxia, откакто сполучливо усили броя на 3D NAND равнищата до 218 през 2023 година съобщи, че може да доближи 1000 равнища до 2027 година.
