Samsung Galaxy S10 се очаква да е първият смартфон с LPDDR5 оперативна памет и UFS 3.0 флаш диск
По всичко наподобява, че флагманите от 2019 година, започвайки от Samsung Galaxy S10, ще имат забележителен прираст на продуктивност и енергийна успеваемост.
Популярният @UniverseIce, който до момента постоянно е давал вярна предварителна информация, заяви че Samsung има намерение да стартира всеобщото произвеждане на LPDDR5 чипове памет и на UFS 3.0 флаш дискове до края на тази година. Според тази вътрешна информация, първото устройство с новата и икономична памет ще бъде смарт телефонът Samsung Galaxy S10.
Пропускателната дарба на UFS 3.0 интерфейса е двойно по висока спрямо неговия предходник. UFS 3.0 обезпечава скорост на продан на данни до 23,2 Gb/s (до 11,6 Gb/s на линия). Освен това, при UFS 3.0 захранващото напрежение е 2,5 V и потреблението на електрическа сила е по-ниско. Разширен е и температурния диапазон. А за LPDDR5 оперативната памет се знае, че е с 10% по-бърза и с 15% по-ефективна.
Засега няма доста данни за смарт телефона Samsung Galaxy S10. Според изтеклата към сегашен ден информация смарт телефонът ще е оборудван с 6,2-инчов екран с вградени представители, заемащ 100% от площта на предния панел. Очаква се устройството да има тройна камера и скенер за пръстови отпечатъци, вграден в повърхността на екрана. Както при предходните версии, Samsung Galaxy S10 ще има модели с разнообразни процесори. В взаимозависимост от района на продажбите, това са системите-върху-чипа Exynos 9820 или Snapdragon 855.
Популярният @UniverseIce, който до момента постоянно е давал вярна предварителна информация, заяви че Samsung има намерение да стартира всеобщото произвеждане на LPDDR5 чипове памет и на UFS 3.0 флаш дискове до края на тази година. Според тази вътрешна информация, първото устройство с новата и икономична памет ще бъде смарт телефонът Samsung Galaxy S10.
Пропускателната дарба на UFS 3.0 интерфейса е двойно по висока спрямо неговия предходник. UFS 3.0 обезпечава скорост на продан на данни до 23,2 Gb/s (до 11,6 Gb/s на линия). Освен това, при UFS 3.0 захранващото напрежение е 2,5 V и потреблението на електрическа сила е по-ниско. Разширен е и температурния диапазон. А за LPDDR5 оперативната памет се знае, че е с 10% по-бърза и с 15% по-ефективна.
Засега няма доста данни за смарт телефона Samsung Galaxy S10. Според изтеклата към сегашен ден информация смарт телефонът ще е оборудван с 6,2-инчов екран с вградени представители, заемащ 100% от площта на предния панел. Очаква се устройството да има тройна камера и скенер за пръстови отпечатъци, вграден в повърхността на екрана. Както при предходните версии, Samsung Galaxy S10 ще има модели с разнообразни процесори. В взаимозависимост от района на продажбите, това са системите-върху-чипа Exynos 9820 или Snapdragon 855.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ