По време на събитието Flash Memory Summit, протичащо от 7

По време на събитието Flash Memory Summit, протичащо от 7 до 9 август в Санта Клара, бяха направени забавни анонси. В началото на седмицата китайската компания Yangtze Memory Technologies разгласи своята нова технология Xtacking. Тя планува основаването на флаш памети с потреблението на две полупроводникови пластини. Следващият анонс е на компанията Toshiba, по-точно на отдела Toshiba Memory.



Представителите на Toshiba оповестиха своята нова разработка с название XL-Flash. Това е многослойна BiCS 3D NAND памет с над 10 пъти по-малки задръжки при четене и запис. Toshiba съобщи, че новата памет има над 10 пъти по-малки задръжки в съпоставяне със в този момент съществуващата BiCS 3D TLC NAND памет, както и по-добра мащабируемост. Освен това, Toshiba даде обещание растежа IOPS интервенциите и усъвършенствана продуктивност на най-ниско равнище.



XL-Flash се базира на технологията SLC (Single-Level-Cell), само че в бъдеще Toshiba има намерение да употребява версии на MLC (Multi-Level-Cell). Новата памет употребява по-къси битове в съпоставяне със сегашните реализации на NAND.



По своите характерности Toshiba XL-Flash наподобява на 3D XPoint от Intel и Micron, както и на Z-NAND от Samsung. Засега информацията е прекомерно непълна и към момента няма данни за приблизителните цени.