Samsung ускори разработката на HBM4, за да изпревари SK hynix
Паметта от фамилията HBM се оказа търсена в сегмента на изчислителните ускорители за системите с изкуствен интелект и няколко снабдители се пробват да засилят позициите си в този печеливш пазарен сегмент. Samsung явно е зад SK hynix в тази област, само че ще се опита да навакса в подготовката за всеобщото стартиране на чиповете от вида HBM4.
Поне това сочи обява на южнокорейския запас The Chosun Daily, който цитира източници, осведомени с проектите на Samsung Electronics. Според наличната информация Samsung към този момент е приключила създаването на базови кристали за HBM4 и е поверила производството им по 4nm технология на личното контрактно поделение. По този метод Samsung се надява бързо да получи подготвени мостри от чиповете HBM4 и да ги изпрати на евентуални клиенти, които в последна сметка могат да избягат от SK hynix, в случай че самодейността е сполучлива.
Характерна специфичност на стековете HBM4 е, че имат главен чип с логичност, чиито функционалности могат да се разграничават по отношение на желанието на клиента. Необходимостта от такава акомодация, съчетана с фокус върху понижаване на потреблението на сила, принуждава SK hynix да повери производството на такива базови кристали на тайванската TSMC. Първоначално се смяташе, че сходни чипове ще се създават за SK hynix по 5nm технология и на този декор решението на Samsung да употребява техния 4nm развой за сходни цели изглеждаше по-изгодно, само че преди време се появи информация по отношение на желанията на SK hynix да поръча на TSMC производството на базови кристали благодарение на по-модерната 3nm технология.
Според Samsung личното произвеждане на базови кристали ще разреши на компанията да реагира по-бързо на потребителските поръчки, тъй че компанията чака да ускори пазарната си позиция след стартирането на своите HBM4 чипове. Второ, Samsung чака да употребява по-усъвършенствана технология от шесто потомство 10nm клас за производството на DRAM кристали в стек, до момента в който за SK hynix се твърди, че ще употребява пето потомство 10nm развой. Гъсто подредени в стек от до 16 равнища, микросхемите могат да генерират доста количество топлота, тъй че техническият развой на произвеждане е от изключително значение.
И най-после, когато създава HBM4, Samsung чака да внедри както по-усъвършенстван хибриден способ за образуване на междуслойни връзки благодарение на мед, по този начин и по-съвременна технология за пакетиране на чиповете TC-NCF. Компанията има намерение да стартира всеобщо произвеждане на HBM4 тази година.
