Новият CFET транзистор влиза в плановете на Intel за производство

Новият CFET транзистор влиза в проектите на Intel за произвеждане на чипове
(снимка: Toms’Hardware)

В бъдеще Intel ще употребява многослойни трензистори CFET (или допълващи FET), заяви основният управител по т ехнологично развиване на компанията Ан Келехер по време на индустриалната конференция ITF World 2023 в Антверпен, Белгия.

Транзисторната CFET технология беше въведена за първи път от интернационалния център за проучвания и разработки Imec през 2018 година Тя към този момент е залегнала в проектите на Intel, само че компанията към момента не се ангажира с начален период за производството на чипове с такива транзистори.

През 2024 година Intel ще стартира преход към RibbonFET – нанолистови транзистори с кръговиден гейт (nanosheet GAAFET). Те ще се създават по софтуерен развой Intel 20A и ще съдържат четири нанопласта, всеки от които е заобиколен от гейт.

По думите на Келехер, създаването на RibbonFET напредва по график – новите транзистори би трябвало да дебютират в производството на чипове през идната година. RibbonFET технологията употребява „ заобикалящ ” дизайн на гейта, с цел да усили плътността на транзистора и скоростта на преход от едно положение в друго, без обилни жертви във връзка с потреблението на сила.
още по темата
CFET транзисторът ще има осем нанопласта, което е два пъти повече от RibbonFET. Това в допълнение ще усили плътността на транзисторите, излиза наяве от презентацията на Келехер.

Дизайнът на транзистора CFET се състои в нареждане на полупроводникови детайли от n-тип (pFET) и p-тип (pFET) един до различен. В момента се преглеждат два разновидността на CFET транзистори – монолитни и поредни. Вторият вид има по-висок и по-широк дизайн.

Кой вид ще избере Intel в последна сметка не е известно. И надали ще стане ясно скоро, защото Imec има вяра, че CFET транзисторите ще се появят на пазара не по-рано от момента, в който процесът за произвеждане на чипове не бъде понижен до равнище от 5 ангстрьома, което се чака да стане не по-рано от 2032 година

Но Intel може да стигне до стартирането на нови транзистори доста по-рано. Възможно е компанията да стартира да употребява разклонени GAA транзистори, преди да премине към CFET, само че евентуално не е подготвена да показа информация за това.