Китайски учени представиха най-бързото устройство за флаш памет в света
Китайски проучвателен екип е създал революционно устройство за флаш памет, което може да съхранява данни със скорост един обичай за 400 пикосекунди, поставяйки нов връх за най-бързото полупроводниково устройство за предпазване, оповестява „ Синхуа “.
Наречена „ PoX “, тази енергонезависима памет превъзхожда даже най-бързите технологии, на които им лишава към 1 до 10 наносекунди, с цел да запазят един обичай данни. Пикосекундата е една хилядна част от наносекундата или една трилионна част от секундата.
Енергонезависимите памети като SRAM и DRAM, които губят данни при загуба на зареждане, са несъответствуващи за системи с ниска консумация на сила, а енергоефективните енергонезависими памети като флаш памет не дават отговор на условията за високоскоростен достъп до данни на изкуствения разсъдък.
Изследователите от университета Фудан създадоха двуизмерна флаш памет с графен-канал на Дирак, употребявайки новаторски механизъм, който разрушава границите на скоростта на предпазване и достъпа до енергонезависима информация.
Резултатите бяха оповестени в сряда в списание Nature.
Източник: Bulgarian.cri.cn
Поглед Видео:ПоследниНай-гледаниАлтернативен Поглед16005Д-р Владимир Трифонов: Тръмп не може да уплаши Китай, допустимо е да организира договаряния със Си ДзинпинАлтернативен Поглед31150Д-р Владимир Трифонов: Завръщането на Русия като водеща мощ провокира нервност в западните елитиАлтернативен Поглед27484Доц. Григор Сарийски: Правят се опити за повдигане на мораториума за рандеман на шистов газ в БългарияАлтернативен Поглед31760Доц. Григор Сарийски: Опитът Русия да бъде демонтирана като страна се провалиАлтернативен Поглед27467Саймън Ципис: Европейски Съюз върви по пътя на Съюз на съветските социалистически републики, Русия би трябвало да е търпелива и внимателнаАлтернативен Поглед383864Проф. Андрей Пантев: Русофобите у нас са неблагодарници, които през днешния ден щяха да приказват на турски
Източник: pogled.info
Наречена „ PoX “, тази енергонезависима памет превъзхожда даже най-бързите технологии, на които им лишава към 1 до 10 наносекунди, с цел да запазят един обичай данни. Пикосекундата е една хилядна част от наносекундата или една трилионна част от секундата.
Енергонезависимите памети като SRAM и DRAM, които губят данни при загуба на зареждане, са несъответствуващи за системи с ниска консумация на сила, а енергоефективните енергонезависими памети като флаш памет не дават отговор на условията за високоскоростен достъп до данни на изкуствения разсъдък.
Изследователите от университета Фудан създадоха двуизмерна флаш памет с графен-канал на Дирак, употребявайки новаторски механизъм, който разрушава границите на скоростта на предпазване и достъпа до енергонезависима информация.
Резултатите бяха оповестени в сряда в списание Nature.
Източник: Bulgarian.cri.cn
Поглед Видео:ПоследниНай-гледаниАлтернативен Поглед16005Д-р Владимир Трифонов: Тръмп не може да уплаши Китай, допустимо е да организира договаряния със Си ДзинпинАлтернативен Поглед31150Д-р Владимир Трифонов: Завръщането на Русия като водеща мощ провокира нервност в западните елитиАлтернативен Поглед27484Доц. Григор Сарийски: Правят се опити за повдигане на мораториума за рандеман на шистов газ в БългарияАлтернативен Поглед31760Доц. Григор Сарийски: Опитът Русия да бъде демонтирана като страна се провалиАлтернативен Поглед27467Саймън Ципис: Европейски Съюз върви по пътя на Съюз на съветските социалистически републики, Русия би трябвало да е търпелива и внимателнаАлтернативен Поглед383864Проф. Андрей Пантев: Русофобите у нас са неблагодарници, които през днешния ден щяха да приказват на турски
КОМЕНТАРИ




