Applied Material: след 3 години 3D NAND паметта ще има над 140 слоя клетки
Към сегашен ден, най-съвършената серийно създавана NAND флаш памет е с 64 слойна конструкция. Единствено SK Hynix прави 72-слойни чипове 3D NAND флаш чипове.
По време на конференцията International Memory Workshop 2018 (IMW) , експертите на Applied Material означиха бъдещите вероятности на пазара на флаш паметите.
В края на тази година се чака да стартира серийното произвеждане на 96-слойни чипове. Това ще бъдат два 48-слойни кристала, обединени в обединен стек. Дебелината на пласта ще намалее до 55 nm, вместо сегашните 60 nm. Дебелината на самия кристал ще се усили от 4,5 на 5,5 микрона. Очаква се появяването на флаш чипове с потенциал 512 GB. Цената теоретично ще пада.
#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item1{background:url(https://i1.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/21-2.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item2{background:url(https://i0.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/22-2.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item3{background:url(https://i1.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/23-1.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item4{background:url(https://i0.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/24.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}1 от 4
Още по-впечатляващи са прогнозите на Applied Material за 2021 година – единствено след 3 години. Тогава би трябвало да излязат 3D NAND памети с над 140 пласта. Плътността на клетките памет ще се усили и надлежно, ще се усили потенциалът на дисковете. За основаването на сходна памет ще са нужни основни промени. Предвижда се потреблението на CUA (CMOS Under Array) технологията и ще бъде употребена нова конструкция на гейтовете. Ще се премине към потреблението на нови полупроводникови материали.
По време на конференцията International Memory Workshop 2018 (IMW) , експертите на Applied Material означиха бъдещите вероятности на пазара на флаш паметите.
В края на тази година се чака да стартира серийното произвеждане на 96-слойни чипове. Това ще бъдат два 48-слойни кристала, обединени в обединен стек. Дебелината на пласта ще намалее до 55 nm, вместо сегашните 60 nm. Дебелината на самия кристал ще се усили от 4,5 на 5,5 микрона. Очаква се появяването на флаш чипове с потенциал 512 GB. Цената теоретично ще пада.
#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item1{background:url(https://i1.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/21-2.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item2{background:url(https://i0.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/22-2.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item3{background:url(https://i1.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/23-1.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39.td-doubleSlider-2.td-item4{background:url(https://i0.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/24.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}1 от 4
Още по-впечатляващи са прогнозите на Applied Material за 2021 година – единствено след 3 години. Тогава би трябвало да излязат 3D NAND памети с над 140 пласта. Плътността на клетките памет ще се усили и надлежно, ще се усили потенциалът на дисковете. За основаването на сходна памет ще са нужни основни промени. Предвижда се потреблението на CUA (CMOS Under Array) технологията и ще бъде употребена нова конструкция на гейтовете. Ще се премине към потреблението на нови полупроводникови материали.
Източник: kaldata.com
КОМЕНТАРИ