Оперативната памет никога не стига: Белгийски учени създадоха прототип на 120-слойна 3D DRAM памет
Изследователи от белгийския център Imec и Университета в Гент (UGent) са създали и тествали технология за развъждане на многослойна конструкция за произвеждане на 3D DRAM памет. Тази технология към този момент е била сполучлива при 3D NAND паметта. Сега е ред да се основат „ небостъргачи “ от DRAM кафези, чието търсене нараства всяка година.
Клетката на RAM паметта е малко по-сложна от тази на NAND паметта. DRAM изисква композиция от бърз транзистор и кондензатор. Това допуска по-сложна архитектура и уголемен набор от материали, които не се мащабират добре към многослойни структури, само че напредъкът не стои на едно място и учените от Imec, които имат голям опит в създаването на усъвършенствани процеси може би са намерили решение.
Изследователите са съумели да отгледат многослойни структури под формата на редуващи се пластове от силиций (Si) и силиций-германий (SiGe) върху 300-милиметрова поставка.
Прототипът на бъдещата 3D DRAM съдържа 120 тънки пласта, подредени един върху различен с атомна акуратност. Трудността се състои в това, че силицият и силиций-германият имат несъвместими атомни решетки, тъй че при подреждането им един върху различен в кристалните структури на тези материали пораждат напрежения (натиск и опън), които могат да доведат до недостатъци и нефункционалност на паметта. За да свържат по-добре разнородните пластове, откривателите е трябвало да прибавят въглерод към материалите.
Силиций и германий се отсрочват поредно върху субстрата от газовата фаза. Стриктният надзор на изискванията на отсрочване разреши да се избегнат недостатъци. Многослойните структури, основани в лабораторията към момента са надалеч от това да бъдат наречени памет. Те са единствено мостра, която ни разрешава да оценим степента на непорочност и съществуването на недостатъци – несъразмерни напрежения на кристалната решетка в пластовете.
Освен това осъществената работа е в основата на създаването на полевите транзистори Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET) и Complementary FET (CFET), които се създават в Imec. Всички те дружно дават обещание да доведат до избухлив растеж на оперативната памет в устройствата и в платформите за изкуствен интелект и обработка на данни. През последните десетилетия лозунгът „ Никога не можеш да имаш прекалено много памет “ не е изгубил своята новост, трансформирайки се в най-актуалния девиз за ИТ промишлеността.
