Гордън Мур, съоснователят на Intel, формулира правилото, по което се

Гордън Мур, съоснователят на Intel, формулира правилото, по което се развиваше полупроводниковата промишленост в продължение на десетилетия (снимка: Intel)

Законът на Мур се забави, който от десетилетия дефинира темповете на развиване на полупроводниковата промишленост, забави движение. Удвояването на плътността на транзисторите в чипа към този момент лишава три години, а не една, както беше първоначално.

Формулирано през 1965 година от съоснователя на Intel – Гордън Мур, главното предписание е, че плътността на транзисторите на единица повърхност на полупроводниковия чип ще се удвоява всяка година, само че с времето честотата на тази смяна последователно се разтяга. В последно време това не се случва даже на две години.

След като се завърна отпред на Intel преди три години, основният изпълнителен шеф Пат Гелсингър се зае да поправя грешките, насъбрани от неговите прародители, и искаше да сложи закона на Мур на нови релси, като вземе поради обективните физически бариери, които пораждат по пътя към по-нататъшната миниатюризация на полупроводниковите артикули.
още по темата
В продължение на няколко десетилетия цялата полупроводникова промишленост се развива в сходство с това главно предписание, като постоянно удвоява плътността на транзисторите и по този метод реализира освен увеличение на скоростта на процесорите, само че и понижаване на разноските за тяхното произвеждане, отбелязва Tom’s Hardware.

Наскоро, пред публика на Масачузетския софтуерен институт, Пат Гелсингър беше заставен да отговори на въпрос по отношение на евентуалния колапс на закона на Мур. Той напомни, че за „ гибелта ” на този закон се приказва през последните тридесет-четиридесет години, след което призна: „ Вече не сме в златната епоха на закона на Мур, в този момент нещата са станали доста, доста по-сложни, ние удвояваме [плътността на транзистора] на всеки три години, тъй че е несъмнено [законът] се забавя ”.

Във всеки случай тази оценка от шефа на Intel е обективна във връзка с литографските технологии. Ако приказваме за скоростта на увеличение на продуктивността на полупроводниковите съставни елементи, разнообразни трикове оказват помощ на производителите на чипове да поддържат същото движение

Така да вземем за пример, потреблението на 3D транзисторни структури и опаковка с голям брой чипове ще разреши на Intel да сътвори чип, съдържащ общо 1 трилион транзистора, до 2030 година, даже в случай че той се състои от доста по-малки кристали. Сега по този метод е допустимо да се комбинират към 100 милиарда транзистора в един изчислителен съставен елемент. Всъщност Intel чака да усъвършенства продуктивността на чиповете с напреднали технологии до 2031 година

Но въпреки това, всички тези нововъведения идват с цената на възходящи разноски, а остарелият стопански съставен елемент на закона на Мур несъмнено е надживял своята полза. За да се построи съвременно дружество за произвеждане на чипове, преди седем или осем години бяха задоволителни 10 милиарда $, а в този момент тази сума е двойно по-голяма, акцентира Пат Гелсингър.