Какво е далечното бъдеще на RAM паметта: NEO Semiconductor разказа за своята ултраплътна и енергонезависима 3D DRAM
Американската компания NEO Semiconductor разгласи идната проява на три нови технологии за произвеждане на най-хубавата DRAM памет в света —- свръхплътна, свръхбърза и даже леко енергонезависима. Новото 3D DRAM решение беше показано за първи път през август 2023 година и от този момент се разви в три разнообразни версии на технологията, макар че производителите наизуст от международна класа към момента пренебрегват това революционно развиване.
NEO Semiconductor е заложила на отвесното разположение на DRAM памет-клетките, което беше внедрено при производството на 3D NAND паметта. Очевидно е, че това доста ще усили плътността за предпазване на данните в RAM паметта. Разработчикът приказва за DRAM чипове с компактност от 512 Gbit — повече от 10 пъти над днешните всеобщо създавани памет-чипове. Също по този начин, увеличението на плътността на паметта води до релативно понижаване на потреблението на сила, което в условия на енергиен недостиг е също толкоз значимо, колкото и увеличението на броя на банките с памет.
На ревюто IEEE 2025 в Монтерей, Калифорния, Съединени американски щати, от 18 до 21 май 2025 година, NEO Semiconductor ще показа три нови архитектури на DRAM кафези, усъвършенствани за подредено произвеждане: 1T1C, 3T0C и 1T0C кафези. Освен това, всички те или някои от тях употребяват IGZO материал за транзисторните канали, който ни е прочут от производството на тънкослойни транзистори за екрани с висока резолюция и ниска консумация на сила.
IGZO материалите, или съединенията на индиево-галиево-цинков оксид, са специалитетът на Sharp. В този материал електроните имат нараснала подвижност, без да се усилват работните токове. Логично, RAM паметта с IGZO транзистори ще наследи тези качества, давайки на света памет с по-добри характерности на продуктивност и консумация на сила. В композиция с многослойната архитектура, това би могло да революционизира света на RAM паметта, в случай че Samsung, SK Hynix или някой сходен най-сетне се заинтересува от технологията.
Нека прибавим, че както следва от обозначението на архитектурата на клетката, клетка 1T1C е класическа DRAM с един транзистор и един кондензатор; клетката 1T0C се състои от един транзистор без кондензатор; а клетка 3T0C е формирана от три транзистора без кондензатор. Според компанията, кафези 1T1C и 3T0C са способни да резервират данни без зареждане в продължение на 450 секунди, което ще понижи потреблението при регенерация. Скоростта на достъпа доближава 10 ns. Но това са все разчетни данни, а екземплярите от новата памет би трябвало да бъдат пуснати за първи път едвам през 2026 година Чакаме. Светът повече от всеки път се нуждае от DRAM с висока компактност и ниска консумация на сила.
